Только для справки
| номер части | FDG316P |
| LIXINC Part # | FDG316P |
| Производитель | Rochester Electronics |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | FDG316P След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | FDG316P |
| Бренд: | Rochester Electronics |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Rochester Electronics |
| ряд: | PowerTrench® |
| упаковка: | Bulk |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | P-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 30 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 1.6A (Ta) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 4.5V, 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 190mOhm @ 1.6A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 3V @ 250µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 5 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 165 pF @ 15 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 750mW (Ta) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | SC-88 (SC-70-6) |
| упаковка / чехол: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| FDD5N50UTM-WS | MOSFET N-CH 500V 3A DPAK | 870 Подробнее о заказе |
|
| SUM110P06-08L-E3 | MOSFET P-CH 60V 110A TO263 | 4958 Подробнее о заказе |
|
| BTS282ZE3180ANTMA1 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 84994 Подробнее о заказе |
|
| SQS414CENW-T1_GE3 | AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S) | 935 Подробнее о заказе |
|
| RQ5E050ATTCL | MOSFET P-CH 30V 5A TSMT3 | 8788 Подробнее о заказе |
|
| SQ4840EY-T1_BE3 | MOSFET N-CH 40V 20.7A 8SOIC | 3362 Подробнее о заказе |
|
| SIHB065N60E-GE3 | MOSFET N-CH 600V 40A D2PAK | 1208 Подробнее о заказе |
|
| IPS65R650CEAKMA1 | MOSFET N-CH 700V 10.1A TO251-3 | 36982 Подробнее о заказе |
|
| FDT1600N10ALZ | MOSFET N-CH 100V 5.6A SOT223-4 | 4909 Подробнее о заказе |
|
| BSC0901NSATMA1 | MOSFET N-CH 30V 28A/100A TDSON | 10113 Подробнее о заказе |
|
| FCH110N65F-F155 | MOSFET N-CH 650V 35A TO247 | 1152 Подробнее о заказе |
|
| NVMFS5C682NLWFAFT3G | MOSFET N-CH 60V 8.8A/25A 5DFN | 922 Подробнее о заказе |
|
| TPC8092,LQ(S | MOSFET N-CH 30V 15A 8SOP | 957 Подробнее о заказе |
| В наличии | 221945 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.19000 | $0.19 |
| 3000 | $0.17647 | $529.41 |
| 6000 | $0.16508 | $990.48 |
| 15000 | $0.15370 | $2305.5 |
| 30000 | $0.14573 | $4371.9 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.