Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

SPP03N60C3XKSA1

SPP03N60C3XKSA1
Увеличить

Только для справки

номер части SPP03N60C3XKSA1
LIXINC Part # SPP03N60C3XKSA1
Производитель Rochester Electronics
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 600V 3.2A TO220-3
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD SPP03N60C3XKSA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

SPP03N60C3XKSA1 Технические характеристики

номер части:SPP03N60C3XKSA1
Бренд:Rochester Electronics
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Rochester Electronics
ряд:CoolMOS™
упаковка:Tube
статус детали:Obsolete
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):600 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:3.2A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):-
rds on (max) @ id, vgs:1.4Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:3.9V @ 135µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:17 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:400 pF @ 25 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):38W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Through Hole
пакет устройств поставщика:PG-TO220-3-1
упаковка / чехол:TO-220-3

SPP03N60C3XKSA1 Документы

if SPP03N60C3XKSA1 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

FDMS3572 FDMS3572 MOSFET N-CH 80V 8.8A/22A 8MLP 13239

Подробнее о заказе
IPP084N06L3GXK IPP084N06L3GXK N-CHANNEL POWER MOSFET 818

Подробнее о заказе
SI2365EDS-T1-GE3 SI2365EDS-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 5.9A TO236 51980

Подробнее о заказе
RJK4532DPD-00#J2 RJK4532DPD-00#J2 MOSFET N-CH 450V 4A MP3A 970

Подробнее о заказе
PHB20N06T,118 PHB20N06T,118 MOSFET N-CH 55V 20.3A D2PAK 5904

Подробнее о заказе
IPL60R104C7AUMA1 IPL60R104C7AUMA1 MOSFET N-CH 600V 20A 4VSON 3944

Подробнее о заказе
BSS138P,215 BSS138P,215 MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB 220617

Подробнее о заказе
FQAF10N80 FQAF10N80 MOSFET N-CH 800V 6.7A TO3PF 8427

Подробнее о заказе
STD3NK90ZT4 STD3NK90ZT4 MOSFET N-CH 900V 3A DPAK 7441

Подробнее о заказе
ISL9N322AP3 ISL9N322AP3 N-CHANNEL POWER MOSFET 158326

Подробнее о заказе
IRFIBC20GPBF IRFIBC20GPBF MOSFET N-CH 600V 1.7A TO220-3 1267

Подробнее о заказе
BUK765R3-40E,118 BUK765R3-40E,118 MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK 7381

Подробнее о заказе
TPH3R506PL,LQ TPH3R506PL,LQ MOSFET N-CH 60V 94A 8SOP 894

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 559712 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$0.55000$0.55
500$0.55000$275

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top