DMT10H015LCG-13 | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) DMT10H015LCG-13

DMT10H015LCG-13

Увеличить

Только для справки

номер части	DMT10H015LCG-13
LIXINC Part #	DMT10H015LCG-13
Производитель	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 100V 9.4A/34A 8DFN
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	DMT10H015LCG-13 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

DMT10H015LCG-13 Технические характеристики

номер части:	DMT10H015LCG-13
Бренд:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
ряд:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	100 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	9.4A (Ta), 34A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	15mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	3.5V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	33.3 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	1871 pF @ 50 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	1W (Ta)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 155°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	V-DFN3333-8
упаковка / чехол:	8-VDFN Exposed Pad

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$0.41580	$0.4158
3000	$0.41580	$1247.4

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015