FQD19N10TM | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FQD19N10TM

FQD19N10TM

Увеличить

Только для справки

номер части	FQD19N10TM
LIXINC Part #	FQD19N10TM
Производитель	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	FQD19N10TM След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

FQD19N10TM Технические характеристики

номер части:	FQD19N10TM
Бренд:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ряд:	QFET®
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	100 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	15.6A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	10V
rds on (max) @ id, vgs:	100mOhm @ 7.8A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	4V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	25 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±25V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	780 pF @ 25 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	2.5W (Ta), 50W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	D-Pak
упаковка / чехол:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

AUIRF1404ZL	MOSFET N-CH 40V 160A TO262	3385 Подробнее о заказе
STD5NM50T4	MOSFET N-CH 500V 7.5A DPAK	1627 Подробнее о заказе
FDMS8570SDC	28A, 25V, 0.0028OHM, N-CHANNEL,	11961 Подробнее о заказе
EPC2052	GANFET N-CH 100V 8.2A DIE	901 Подробнее о заказе
FQPF27N25	MOSFET N-CH 250V 14A TO220F	971 Подробнее о заказе
CSD18532Q5B	MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON	10046 Подробнее о заказе
BSC014N03MSGATMA1	PFET, 30A I(D), 30V, 0.00175OHM,	10149 Подробнее о заказе
BTS129NKSA1	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2	5490 Подробнее о заказе
IRFZ44VZSPBF	MOSFET N-CH 60V 57A D2PAK	1034 Подробнее о заказе
VS-FA40SA50LC	MOSFET N-CH 500V 40A SOT-227	904 Подробнее о заказе
IPD082N10N3GATMA1	MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3	948 Подробнее о заказе
IRFB42N20DPBF	CHANNEL	6684 Подробнее о заказе
IPD320N20N3GATMA1	MOSFET N-CH 200V 34A TO252-3	810 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015