FDB070AN06A0-F085

FDB070AN06A0-F085
Увеличить

Только для справки

номер части FDB070AN06A0-F085
LIXINC Part # FDB070AN06A0-F085
Производитель Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 60V 15A TO263AB
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD FDB070AN06A0-F085 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 27 - Jan 31 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

FDB070AN06A0-F085 Технические характеристики

номер части:FDB070AN06A0-F085
Бренд:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ряд:Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):60 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:15A (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:7mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:4V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:66 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:3000 pF @ 25 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):175W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:TO-263AB
упаковка / чехол:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Продукты, которые могут вас заинтересовать

DMP6023LFG-7 DMP6023LFG-7 MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8 937

Подробнее о заказе

BSC100N03MSG BSC100N03MSG N-CHANNEL POWER MOSFET 5888

Подробнее о заказе

STB8N65M5 STB8N65M5 MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK 1323

Подробнее о заказе

IRF5210LPBF IRF5210LPBF MOSFET P-CH 100V 38A TO262 1755

Подробнее о заказе

NTTFS005N04CTAG NTTFS005N04CTAG MOSFET N-CH 40V 17A/69A 8WDFN 862

Подробнее о заказе

IPW60R125CFD7XKSA1 IPW60R125CFD7XKSA1 MOSFET N-CH 600V 18A TO247-3 973

Подробнее о заказе

AO4496 AO4496 MOSFET N CH 30V 10A 8SOIC 965

Подробнее о заказе

DMTH61M8LPS-13 DMTH61M8LPS-13 MOSFET N-CH 60V 225A PWRDI 3281

Подробнее о заказе

DMP1005UFDF-7 DMP1005UFDF-7 MOSFET P-CH 12V 26A 6UDFN 1004

Подробнее о заказе

FQPF9P25YDTU FQPF9P25YDTU MOSFET P-CH 250V 6A TO220F-3 1530

Подробнее о заказе

AO4453 AO4453 MOSFET P-CH 12V 9A 8SOIC 931

Подробнее о заказе

SI2310B-TP SI2310B-TP MOSFET N-CH 60V 3A SOT23 6880

Подробнее о заказе

SIHG73N60AE-GE3 SIHG73N60AE-GE3 MOSFET N-CH 600V 60A TO247AC 1206

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 19675 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$1.73616$1.73616
800$1.73616$1388.928

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top