STQ1NK60ZR-AP | STMicroelectronics STQ1NK60ZR-AP | STQ1NK60ZR-AP Inventory, Best Pricing

STQ1NK60ZR-AP

Увеличить

Только для справки

номер части	STQ1NK60ZR-AP
LIXINC Part #	STQ1NK60ZR-AP
Производитель	STMicroelectronics
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 600V 300MA TO92-3
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	STQ1NK60ZR-AP След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

STQ1NK60ZR-AP Технические характеристики

номер части:	STQ1NK60ZR-AP
Бренд:	STMicroelectronics
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	STMicroelectronics
ряд:	SuperMESH™
упаковка:	Cut Tape (CT)Tape & Box (TB)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	600 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	300mA (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	10V
rds on (max) @ id, vgs:	15Ohm @ 400mA, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	4.5V @ 50µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	6.9 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±30V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	94 pF @ 25 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	3W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
пакет устройств поставщика:	TO-92-3
упаковка / чехол:	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015