Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

FDS6162N7

FDS6162N7
Увеличить

Только для справки

номер части FDS6162N7
LIXINC Part # FDS6162N7
Производитель Rochester Electronics
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 20V 23A 8SO
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD FDS6162N7 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

FDS6162N7 Технические характеристики

номер части:FDS6162N7
Бренд:Rochester Electronics
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Rochester Electronics
ряд:PowerTrench®
упаковка:Bulk
статус детали:Obsolete
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):20 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:23A (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):2.5V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs:3.5mOhm @ 23A, 4.5V
vgs(th) (макс.) @ id:1.5V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:73 nC @ 4.5 V
ВГС (макс.):±12V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:5.521 pF @ 10 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):3W (Ta)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:8-SO
упаковка / чехол:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

FDS6162N7 Документы

if FDS6162N7 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

NTGS1135PT1G NTGS1135PT1G MOSFET P-CH 8V 4.6A 6TSOP 18205

Подробнее о заказе
IPB60R125CPATMA1 IPB60R125CPATMA1 MOSFET N-CH 600V 25A TO263-3 1223

Подробнее о заказе
IXFT12N100 IXFT12N100 MOSFET N-CH 1000V 12A TO268 956

Подробнее о заказе
IPD65R380E6ATMA1 IPD65R380E6ATMA1 MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3 5896

Подробнее о заказе
DMN6013LFGQ-13 DMN6013LFGQ-13 MOSFET N-CH 60V 10.3A PWRDI3333 27929

Подробнее о заказе
FDMS2510SDC FDMS2510SDC MOSFET N-CH 25V 28A/49A DLCOOL56 16362

Подробнее о заказе
IXTQ88N30P IXTQ88N30P MOSFET N-CH 300V 88A TO3P 827

Подробнее о заказе
IXTP270N04T4 IXTP270N04T4 MOSFET N-CH 40V 270A TO220AB 1760

Подробнее о заказе
RM30N100LD RM30N100LD MOSFET N-CH 100V 30A TO252-2 980

Подробнее о заказе
TSM70N900CH C5G TSM70N900CH C5G MOSFET N-CH 700V 4.5A TO251 933

Подробнее о заказе
TPCA8120,LQ(CM TPCA8120,LQ(CM MOSFET P-CH 30V 45A 8SOP 947

Подробнее о заказе
STF9NK90Z STF9NK90Z MOSFET N-CH 900V 8A TO220FP 1777

Подробнее о заказе
TPN4R303NL,L1Q TPN4R303NL,L1Q MOSFET N-CH 30V 40A 8TSON 854

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 16633 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$1.85000$1.85

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top