FDB0630N1507L | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FDB0630N1507L

FDB0630N1507L

Увеличить

Только для справки

номер части	FDB0630N1507L
LIXINC Part #	FDB0630N1507L
Производитель	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	FDB0630N1507L След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

FDB0630N1507L Технические характеристики

номер части:	FDB0630N1507L
Бренд:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ряд:	PowerTrench®
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	150 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	130A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	10V
rds on (max) @ id, vgs:	6.4mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	4V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	135 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	9895 pF @ 75 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	3.8W (Ta), 300W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	TO-263-7
упаковка / чехол:	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

RRH040P03TB1	MOSFET P-CH 30V 4A 8SOP	3153 Подробнее о заказе
BUK7D36-60EX	MOSFET N-CH 60V 5.5A/14A 6DFN	3767 Подробнее о заказе
TSM4436CS RLG	MOSFET N-CHANNEL 60V 8A 8SOP	3763 Подробнее о заказе
SIHB125N60EF-GE3	MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK	4031 Подробнее о заказе
STB75NH02LT4	MOSFET N-CH 24V 60A D2PAK	842 Подробнее о заказе
MCB85N06Y-TP	MOSFET N-CH 60V 85A D2PAK	4149 Подробнее о заказе
RM120N60T2	MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3	953 Подробнее о заказе
PH2625L,115	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1	31706 Подробнее о заказе
FDMC86012	MOSFET N-CH 30V 23A POWER33	3430 Подробнее о заказе
SIHH24N65E-T1-GE3	MOSFET N-CH 650V 23A PPAK 8 X 8	4783 Подробнее о заказе
FDY102PZ	MOSFET P-CH 20V 830MA SC89-3	1198 Подробнее о заказе
SIA108DJ-T1-GE3	MOSFET N-CH 80V 6.6A/12A PPAK	6872 Подробнее о заказе
AUIRFS8409	MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK	9440 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$6.00000	$6
800	$3.94093	$3152.744

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015