FQH8N100C

FQH8N100C
Увеличить

Только для справки

номер части FQH8N100C
LIXINC Part # FQH8N100C
Производитель Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 1000V 8A TO247-3
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD FQH8N100C След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

FQH8N100C Технические характеристики

номер части:FQH8N100C
Бренд:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ряд:QFET®
упаковка:Tube
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):1000 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:8A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:1.45Ohm @ 4A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:5V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:70 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±30V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:3220 pF @ 25 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):225W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Through Hole
пакет устройств поставщика:TO-247-3
упаковка / чехол:TO-247-3

Продукты, которые могут вас заинтересовать

IPB70N04S406ATMA1 IPB70N04S406ATMA1 MOSFET N-CH 40V 70A TO263-3-2 7293

Подробнее о заказе

NTTFS4985NFTAG NTTFS4985NFTAG POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 611823

Подробнее о заказе

SI5441BDC-T1-E3 SI5441BDC-T1-E3 MOSFET P-CH 20V 4.4A 1206-8 1760

Подробнее о заказе

DMP2008UFG-7 DMP2008UFG-7 MOSFET P-CH 20V 14A PWRDI3333 92095

Подробнее о заказе

IPLK60R360PFD7ATMA1 IPLK60R360PFD7ATMA1 MOSFET N-CH 600V 13A THIN-PAK 5951

Подробнее о заказе

STL31N65M5 STL31N65M5 MOSFET N-CH 650V 15A PWRFLAT88 927

Подробнее о заказе

STF7N52K3 STF7N52K3 MOSFET N-CH 525V 6A TO220FP 864

Подробнее о заказе

SI4447DY-T1-GE3 SI4447DY-T1-GE3 MOSFET P-CH 40V 3.3A 8SO 1335

Подробнее о заказе

AOI9N50 AOI9N50 MOSFET N-CH 500V 9A TO251A 946

Подробнее о заказе

SI4850EY-T1-E3 SI4850EY-T1-E3 MOSFET N-CH 60V 6A 8SO 15162

Подробнее о заказе

TP0606N3-G TP0606N3-G MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3 1515

Подробнее о заказе

SQM110P06-8M9L_GE3 SQM110P06-8M9L_GE3 MOSFET P-CH 60V 110A TO263 1732

Подробнее о заказе

IRFBC40ASTRRPBF IRFBC40ASTRRPBF MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK 837

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10990 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$3.68000$3.68
10$3.29243$32.9243
450$2.46351$1108.5795
900$2.01717$1815.453
1350$1.88966$2551.041

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top