Только для справки
| номер части | FQD13N10TM |
| LIXINC Part # | FQD13N10TM |
| Производитель | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 100V 10A DPAK |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | FQD13N10TM След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | FQD13N10TM |
| Бренд: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| ряд: | QFET® |
| упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 100 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 10A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 180mOhm @ 5A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 4V @ 250µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 16 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±25V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 450 pF @ 25 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 2.5W (Ta), 40W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | D-Pak |
| упаковка / чехол: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| FDS6670A | MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC | 11656 Подробнее о заказе |
|
| NVMFS4C03NWFT1G | MOSFET N-CH 30V 31.4A/143A 5DFN | 194414 Подробнее о заказе |
|
| SCT3040KRC14 | SICFET N-CH 1200V 55A TO247-4L | 1387 Подробнее о заказе |
|
| IXFB100N50Q3 | MOSFET N-CH 500V 100A PLUS264 | 885 Подробнее о заказе |
|
| STW78N65M5 | MOSFET N-CH 650V 69A TO247 | 1441 Подробнее о заказе |
|
| FQA55N25 | MOSFET N-CH 250V 55A TO3PN | 1013 Подробнее о заказе |
|
| IPD50R520CPATMA1 | LOW POWER_LEGACY | 979 Подробнее о заказе |
|
| SIJ494DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 150V 36.8A PPAK SO-8 | 2910 Подробнее о заказе |
|
| NTD4865NT4G | MOSFET N-CH 25V 8.5A/44A DPAK | 540824 Подробнее о заказе |
|
| SI7623DN-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8 | 1093 Подробнее о заказе |
|
| IRFR420PBF | MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK | 1815 Подробнее о заказе |
|
| NVR5198NLT1G | MOSFET N-CH 60V 1.7A SOT23-3 | 853 Подробнее о заказе |
|
| IPD50N06S409ATMA2 | MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31 | 802 Подробнее о заказе |
| В наличии | 11536 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.74000 | $0.74 |
| 2500 | $0.29286 | $732.15 |
| 5000 | $0.27373 | $1368.65 |
| 12500 | $0.26417 | $3302.125 |
| 25000 | $0.25896 | $6474 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.