NVMFS6B03NWFT1G | Rochester Electronics NVMFS6B03NWFT1G | NVMFS6B03NWFT1G Inventory, Best Pricing

NVMFS6B03NWFT1G

Увеличить

Только для справки

номер части	NVMFS6B03NWFT1G
LIXINC Part #	NVMFS6B03NWFT1G
Производитель	Rochester Electronics
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 100V 5DFN
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	NVMFS6B03NWFT1G След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

NVMFS6B03NWFT1G Технические характеристики

номер части:	NVMFS6B03NWFT1G
Бренд:	Rochester Electronics
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Rochester Electronics
ряд:	-
упаковка:	Bulk
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	100 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	-
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	10V
rds on (max) @ id, vgs:	4.8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	4V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	58 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±16V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	4.2 pF @ 50 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	3.9W (Ta), 198W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
упаковка / чехол:	8-PowerTDFN

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$3.03000	$3.03
1500	$3.03000	$4545

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015