FQB27N25TM-F085 | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FQB27N25TM-F085

FQB27N25TM-F085

Увеличить

Только для справки

номер части	FQB27N25TM-F085
LIXINC Part #	FQB27N25TM-F085
Производитель	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 250V 25.5A D2PAK
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	FQB27N25TM-F085 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

FQB27N25TM-F085 Технические характеристики

номер части:	FQB27N25TM-F085
Бренд:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ряд:	Automotive, AEC-Q101
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Obsolete
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	250 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	25.5A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	10V
rds on (max) @ id, vgs:	131mOhm @ 25.5A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	5V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	49 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±30V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	1800 pF @ 25 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	417W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	D²PAK (TO-263AB)
упаковка / чехол:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

AO3414	MOSFET N-CH 20V 3A SOT23-3L	808 Подробнее о заказе
FJ4B01100L1	MOSFET P-CH 12V 2.2A XLGA004	3167 Подробнее о заказе
AUIRFP4004	MOSFET N-CH 40V 195A TO247AC	1450 Подробнее о заказе
IPW60R230P6FKSA1	MOSFET N-CH 600V 16.8A TO247-3	1881 Подробнее о заказе
AOD380A60C	MOSFET N-CH 600V 11A TO252	3424 Подробнее о заказе
IPW65R310CFD	N-CHANNEL POWER MOSFET	13383 Подробнее о заказе
DMTH6010LK3-13	MOSFET N-CH 60V 14.8A/70A TO252	2916 Подробнее о заказе
IPW60R075CPXK	IPW60R075 - 600V COOLMOS N-CHANN	993 Подробнее о заказе
3N163 TO-72 4L	P-CHANNEL, SINGLE ENHANCEMENT MO	4190 Подробнее о заказе
STD1NK80Z-1	MOSFET N-CH 800V 1A IPAK	830 Подробнее о заказе
FDD8453LZ	MOSFET N-CH 40V 16.4A/50A DPAK	899 Подробнее о заказе
LSIC1MO170T0750	SICFET N-CH 1700V 6.4A TO263-7L	873 Подробнее о заказе
RSR025P03HZGTL	MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT3	5395 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$2.29235	$2.29235
800	$2.29235	$1833.88

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015