Только для справки
| номер части | FDS2070N3 |
| LIXINC Part # | FDS2070N3 |
| Производитель | Rochester Electronics |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SO |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | FDS2070N3 След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | FDS2070N3 |
| Бренд: | Rochester Electronics |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Rochester Electronics |
| ряд: | PowerTrench® |
| упаковка: | Bulk |
| статус детали: | Obsolete |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 150 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 4.1A (Ta) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 6V, 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 78mOhm @ 4.1A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 4V @ 250µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 53 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 1.884 pF @ 75 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 3W (Ta) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | 8-SO |
| упаковка / чехол: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| C2M0045170P | SICFET N-CH 1700V 72A TO247-4 | 920 Подробнее о заказе |
|
| IPD25N06S240ATMA1 | MOSFET N-CH 55V 29A TO252-3 | 22717 Подробнее о заказе |
|
| TSM2N60ECH C5G | MOSFET N-CHANNEL 600V 2A TO251 | 912 Подробнее о заказе |
|
| UPA2708GR-E1-AT | N-CHANNEL POWER MOSFET | 38403 Подробнее о заказе |
|
| UPA2803T1L-E2-AY | MOSFET N-CH 20V 20A 8DFN | 9898 Подробнее о заказе |
|
| SI7434DP-T1-E3 | MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-8 | 947 Подробнее о заказе |
|
| IPC100N04S5L1R9ATMA1 | MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34 | 3350 Подробнее о заказе |
|
| 3LP01C-TB-E | MOSFET P-CH 30V 100MA 3CP | 219992 Подробнее о заказе |
|
| SI7858ADP-T1-E3 | MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8 | 5758 Подробнее о заказе |
|
| RU1C002UNTCL | MOSFET N-CH 20V 200MA UMT3F | 1379 Подробнее о заказе |
|
| RHU002N06FRAT106 | MOSFET N-CH 60V 200MA UMT3 | 3456 Подробнее о заказе |
|
| PSMN005-75B,118 | MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK | 817 Подробнее о заказе |
|
| TSM160N10LCR RLG | MOSFET N-CH 100V 46A 8PDFN | 6250 Подробнее о заказе |
| В наличии | 14574 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $1.82000 | $1.82 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.