Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

BSS806NEH6327XTSA1

BSS806NEH6327XTSA1
Увеличить

Только для справки

номер части BSS806NEH6327XTSA1
LIXINC Part # BSS806NEH6327XTSA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD BSS806NEH6327XTSA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

BSS806NEH6327XTSA1 Технические характеристики

номер части:BSS806NEH6327XTSA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):20 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:2.3A (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):1.8V, 2.5V
rds on (max) @ id, vgs:57mOhm @ 2.3A, 2.5V
vgs(th) (макс.) @ id:0.75V @ 11µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:1.7 nC @ 2.5 V
ВГС (макс.):±8V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:529 pF @ 10 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):500mW (Ta)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:SOT-23-3
упаковка / чехол:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

BSS806NEH6327XTSA1 Документы

if BSS806NEH6327XTSA1 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

DMP2066LVT-7 DMP2066LVT-7 MOSFET P-CH 20V 4.5A SOT26 1153

Подробнее о заказе
IRF9Z34PBF-BE3 IRF9Z34PBF-BE3 MOSFET P-CH 60V 18A TO220AB 820

Подробнее о заказе
LND150N3-G-P014 LND150N3-G-P014 MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3 895

Подробнее о заказе
AOD2N60A AOD2N60A MOSFET N-CH 600V 2A TO252 850

Подробнее о заказе
NTLUS3A39PZTBG NTLUS3A39PZTBG MOSFET P-CH 20V 3.4A 6UDFN 33831

Подробнее о заказе
TN2130K1-G TN2130K1-G MOSFET N-CH 300V 85MA TO236AB 4384

Подробнее о заказе
TPCA8056-H,LQ(M TPCA8056-H,LQ(M MOSFET N-CH 30V 48A 8SOP 888

Подробнее о заказе
FDP054N10 FDP054N10 MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3 1307

Подробнее о заказе
DMG1013UWQ-13 DMG1013UWQ-13 MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323 833

Подробнее о заказе
NVMFS5C426NAFT1G NVMFS5C426NAFT1G MOSFET N-CH 40V 41A/235A 5DFN 1685469

Подробнее о заказе
FDH50N50_F133 FDH50N50_F133 MOSFET N-CH 500V 48A TO247 827

Подробнее о заказе
IXFN70N120SK IXFN70N120SK SICFET N-CH 1200V 68A SOT227B 998

Подробнее о заказе
SSR1N60BTF SSR1N60BTF N-CHANNEL POWER MOSFET 76867

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 20835 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$0.52000$0.52
3000$0.10720$321.6
6000$0.10176$610.56
15000$0.09361$1404.15
30000$0.08818$2645.4
75000$0.08003$6002.25
150000$0.07855$11782.5

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top