SIDR140DP-T1-GE3

SIDR140DP-T1-GE3
Увеличить

Только для справки

номер части SIDR140DP-T1-GE3
LIXINC Part # SIDR140DP-T1-GE3
Производитель Vishay / Siliconix
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 25V 79A/100A PPAK
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD SIDR140DP-T1-GE3 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

SIDR140DP-T1-GE3 Технические характеристики

номер части:SIDR140DP-T1-GE3
Бренд:Vishay / Siliconix
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Vishay / Siliconix
ряд:TrenchFET® Gen IV
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):25 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:79A (Ta), 100A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:0.67mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:2.1V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:170 nC @ 10 V
ВГС (макс.):+20V, -16V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:8150 pF @ 10 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):6.25W (Ta), 125W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PowerPAK® SO-8DC
упаковка / чехол:PowerPAK® SO-8

Продукты, которые могут вас заинтересовать

SPD01N60C3BTMA1 SPD01N60C3BTMA1 MOSFET N-CH 650V 800MA TO252-3 882

Подробнее о заказе

IPI70R950CEXKSA1 IPI70R950CEXKSA1 CONSUMER 910

Подробнее о заказе

NTMFS4925NT3G NTMFS4925NT3G MOSFET N-CH 30V 9.7A/48A 5DFN 5939

Подробнее о заказе

IPP120P04P404AKSA1 IPP120P04P404AKSA1 OPTIMOS P-CHANNEL POWER MOSFET 11866

Подробнее о заказе

IRFR3410PBF IRFR3410PBF MOSFET N-CH 100V 31A DPAK 881

Подробнее о заказе

BSR315PH6327XTSA1 BSR315PH6327XTSA1 MOSFET P-CH 60V 620MA SC59 9098

Подробнее о заказе

FDU8780 FDU8780 MOSFET N-CH 25V 35A IPAK 82156

Подробнее о заказе

IPD65R950C6ATMA1 IPD65R950C6ATMA1 MOSFET N-CH 650V 4.5A TO252-3 885

Подробнее о заказе

NVTFS003N04CTAG NVTFS003N04CTAG MOSFET N-CH 40V 22A/103A 8WDFN 113236939

Подробнее о заказе

ZVN3320FTA ZVN3320FTA MOSFET N-CH 200V 60MA SOT23-3 974

Подробнее о заказе

BUK6E2R0-30C127 BUK6E2R0-30C127 N-CHANNEL POWER MOSFET 5556

Подробнее о заказе

STW27N60M2-EP STW27N60M2-EP MOSFET N-CH 600V 20A TO247-3 1400

Подробнее о заказе

2N7000RLRA 2N7000RLRA MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3 858

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 13927 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$2.58000$2.58
3000$1.30808$3924.24
6000$1.26270$7576.2

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top