Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

IPD30N06S4L23ATMA1

IPD30N06S4L23ATMA1
Увеличить

Только для справки

номер части IPD30N06S4L23ATMA1
LIXINC Part # IPD30N06S4L23ATMA1
Производитель Rochester Electronics
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPD30N06S4L23ATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPD30N06S4L23ATMA1 Технические характеристики

номер части:IPD30N06S4L23ATMA1
Бренд:Rochester Electronics
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Rochester Electronics
ряд:OptiMOS™
упаковка:Bulk
статус детали:Obsolete
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):60 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:30A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:23mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:2.2V @ 10µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:21 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±16V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:1.56 pF @ 25 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):36W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TO252-3
упаковка / чехол:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IPD30N06S4L23ATMA1 Документы

if IPD30N06S4L23ATMA1 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

RCX120N25 RCX120N25 MOSFET N-CH 250V 12A TO220FM 970

Подробнее о заказе
DMT6009LSS-13 DMT6009LSS-13 MOSFET N-CH 60V 10.8A 8SO T&R 2 19031

Подробнее о заказе
RSD046P05TL RSD046P05TL MOSFET P-CH 45V 4.5A CPT3 891

Подробнее о заказе
SPI08N50C3XK SPI08N50C3XK N-CHANNEL POWER MOSFET 916

Подробнее о заказе
HUF75637S3ST HUF75637S3ST MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK 2310

Подробнее о заказе
SI1499DH-T1-GE3 SI1499DH-T1-GE3 MOSFET P-CH 8V 1.6A SC70-6 3221

Подробнее о заказе
BUK9E1R9-40E,127 BUK9E1R9-40E,127 MOSFET N-CH 40V I2PAK 6015

Подробнее о заказе
PMV42ENER PMV42ENER MOSFET N-CH 30V 4.4A TO236AB 2792

Подробнее о заказе
FDD8880 FDD8880 MOSFET N-CH 30V 13A/58A TO252AA 1124

Подробнее о заказе
MTP16N25E MTP16N25E N-CHANNEL POWER MOSFET 9720

Подробнее о заказе
IPA075N15N3GXKSA1 IPA075N15N3GXKSA1 MOSFET N-CH 150V 43A TO220-3 2440

Подробнее о заказе
FQD4N50TF FQD4N50TF MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK 3238

Подробнее о заказе
STP5NK50Z STP5NK50Z MOSFET N-CH 500V 4.4A TO220AB 2738

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10987 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$0.24000$0.24
2500$0.24000$600

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top