NP36P06KDG-E1-AY | Renesas Electronics America NP36P06KDG-E1-AY | NP36P06KDG-E1-AY Inventory, Best Pricing

NP36P06KDG-E1-AY

Увеличить

Только для справки

номер части	NP36P06KDG-E1-AY
LIXINC Part #	NP36P06KDG-E1-AY
Производитель	Renesas Electronics America
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET P-CH 60V 36A TO263
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	NP36P06KDG-E1-AY След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

NP36P06KDG-E1-AY Технические характеристики

номер части:	NP36P06KDG-E1-AY
Бренд:	Renesas Electronics America
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Renesas Electronics America
ряд:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	P-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	60 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	36A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	29.5mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.5V @ 1mA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	54 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	3100 pF @ 10 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	1.8W (Ta), 56W (Tc)
Рабочая Температура:	175°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	TO-263
упаковка / чехол:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$0.83628	$0.83628

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015