Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

FCP099N60E

FCP099N60E
Увеличить

Только для справки

номер части FCP099N60E
LIXINC Part # FCP099N60E
Производитель Rochester Electronics
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD FCP099N60E След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

FCP099N60E Технические характеристики

номер части:FCP099N60E
Бренд:Rochester Electronics
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Rochester Electronics
ряд:SuperFET® II
упаковка:Bulk
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):600 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:37A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:99mOhm @ 18.5A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:3.5V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:114 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:3.465 pF @ 380 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):357W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Through Hole
пакет устройств поставщика:TO-220-3
упаковка / чехол:TO-220-3

FCP099N60E Документы

if FCP099N60E PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

SSI4N60BTU SSI4N60BTU N-CHANNEL POWER MOSFET 50975

Подробнее о заказе
AOB4S60L AOB4S60L MOSFET N-CH 600V 4A TO263 907

Подробнее о заказе
HUF75321D3ST HUF75321D3ST MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA 1859

Подробнее о заказе
NDS9430A NDS9430A MOSFET P-CH 20V 5.3A 8SOIC 14322

Подробнее о заказе
FDD4141-F085 FDD4141-F085 FDD4141_F085 - P-CHANNEL POWERTR 11089

Подробнее о заказе
FDA24N50F FDA24N50F MOSFET N-CH 500V 24A TO3PN 847

Подробнее о заказе
IRFZ34PBF-BE3 IRFZ34PBF-BE3 MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB 1847

Подробнее о заказе
IXTP3N50D2 IXTP3N50D2 MOSFET N-CH 500V 3A TO220AB 1112

Подробнее о заказе
FDFM2N111 FDFM2N111 MOSFET N-CH 20V 4A MICROFET 22964

Подробнее о заказе
PSMN5R2-60YLX PSMN5R2-60YLX MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56 924

Подробнее о заказе
SQJA81EP-T1_GE3 SQJA81EP-T1_GE3 MOSFET P-CH 80V 46A PPAK SO-8 885

Подробнее о заказе
APT30M70BVRG APT30M70BVRG MOSFET N-CH 300V 48A TO247 990

Подробнее о заказе
AUIRFR4620TRL AUIRFR4620TRL MOSFET N-CH 200V 24A DPAK 4376

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 17223 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$1.96000$1.96
800$1.96000$1568

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top