Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

BSC077N12NS3GATMA1

BSC077N12NS3GATMA1
Увеличить

Только для справки

номер части BSC077N12NS3GATMA1
LIXINC Part # BSC077N12NS3GATMA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 120V 13.4/98A 8TDSON
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD BSC077N12NS3GATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 27 - Jan 31 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

BSC077N12NS3GATMA1 Технические характеристики

номер части:BSC077N12NS3GATMA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:OptiMOS™
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):120 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:13.4A (Ta), 98A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:7.7mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:4V @ 110µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:88 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:5700 pF @ 60 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):139W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TDSON-8-1
упаковка / чехол:8-PowerTDFN

BSC077N12NS3GATMA1 Документы

if BSC077N12NS3GATMA1 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

DMN10H099SK3-13 DMN10H099SK3-13 MOSFET N-CH 100V 17A TO252 1617

Подробнее о заказе
2SK2329L-E 2SK2329L-E N-CHANNEL POWER MOSFET 5096

Подробнее о заказе
FQAF8N80 FQAF8N80 MOSFET N-CH 800V 5.9A TO3PF 1395

Подробнее о заказе
NDD03N50ZT4G NDD03N50ZT4G MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK 85334

Подробнее о заказе
NX7002AKW,115 NX7002AKW,115 MOSFET N-CH 60V 170MA SOT323 17919

Подробнее о заказе
STF5N80K5 STF5N80K5 MOSFET N-CH 800V 4A TO220FP 2705

Подробнее о заказе
IRFR9120NTRPBF IRFR9120NTRPBF MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK 5782

Подробнее о заказе
IRFH5304TRPBF IRFH5304TRPBF MOSFET N-CH 30V 22A/79A 8PQFN 4895

Подробнее о заказе
BSC031N06NS3GATMA1 BSC031N06NS3GATMA1 MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8-1 14054

Подробнее о заказе
NVD5C688NLT4G NVD5C688NLT4G MOSFET N-CHANNEL 60V 17A DPAK 920

Подробнее о заказе
IRLL024NPBF-INF IRLL024NPBF-INF HEXFET POWER MOSFET 5562

Подробнее о заказе
NTTFS008N04CTAG NTTFS008N04CTAG MOSFET N-CH 40V 14A/48A 8WDFN 14492

Подробнее о заказе
IXFT86N30T IXFT86N30T MOSFET N-CH 300V 86A TO268 1362

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 13962 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$2.90000$2.9
5000$1.27647$6382.35

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top