NTP8G202NG | Rochester Electronics NTP8G202NG | NTP8G202NG Inventory, Best Pricing

NTP8G202NG

Увеличить

Только для справки

номер части	NTP8G202NG
LIXINC Part #	NTP8G202NG
Производитель	Rochester Electronics
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	GANFET N-CH 600V 9A TO220-3
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	NTP8G202NG След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

NTP8G202NG Технические характеристики

номер части:	NTP8G202NG
Бренд:	Rochester Electronics
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Rochester Electronics
ряд:	-
упаковка:	Tube
статус детали:	Obsolete
тип фета:	N-Channel
технологии:	GaNFET (Gallium Nitride)
напряжение сток-исток (vdss):	600 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	9A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	8V
rds on (max) @ id, vgs:	350mOhm @ 5.5A, 8V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.6V @ 500µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	9.3 nC @ 4.5 V
ВГС (макс.):	±18V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	760 pF @ 400 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	65W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
пакет устройств поставщика:	TO-220-3
упаковка / чехол:	TO-220-3

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015