Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

FQD6N25TM

FQD6N25TM
Увеличить

Только для справки

номер части FQD6N25TM
LIXINC Part # FQD6N25TM
Производитель Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD FQD6N25TM След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

FQD6N25TM Технические характеристики

номер части:FQD6N25TM
Бренд:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ряд:QFET®
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):250 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:4.4A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:1Ohm @ 2.2A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:5V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:8.5 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±30V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:300 pF @ 25 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):2.5W (Ta), 45W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:D-Pak
упаковка / чехол:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

FQD6N25TM Документы

if FQD6N25TM PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

TSM1NB60CW RPG TSM1NB60CW RPG MOSFET N-CHANNEL 600V 1A SOT223 11978

Подробнее о заказе
FDS8876 FDS8876 MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC 658934

Подробнее о заказе
TK5A55D(STA4,Q,M) TK5A55D(STA4,Q,M) MOSFET N-CH 550V 5A TO220SIS 947

Подробнее о заказе
APT45M100J APT45M100J MOSFET N-CH 1000V 45A SOT227 859

Подробнее о заказе
IRFP350PBF IRFP350PBF MOSFET N-CH 400V 16A TO247-3 1431

Подробнее о заказе
BSP298L6327HUSA1 BSP298L6327HUSA1 MOSFET N-CH 400V 500MA SOT223-4 121108

Подробнее о заказе
SI2307CDS-T1-GE3 SI2307CDS-T1-GE3 MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3 39098

Подробнее о заказе
SIR472ADP-T1-GE3 SIR472ADP-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 18A PPAK SO-8 2549

Подробнее о заказе
IPB80N04S3-04 IPB80N04S3-04 MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3 1522

Подробнее о заказе
IPP60R600C6XKSA1 IPP60R600C6XKSA1 MOSFET N-CH 600V 7.3A TO220-3 826

Подробнее о заказе
SIHFS9N60A-GE3 SIHFS9N60A-GE3 MOSFET N-CH 600V 9.2A TO263 982

Подробнее о заказе
BUK7Y21-40EX BUK7Y21-40EX MOSFET N-CH 40V 33A LFPAK56 1865

Подробнее о заказе
RT1E040RPTR RT1E040RPTR MOSFET P-CH 30V 4A 8TSST 2788

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 13227 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$0.64000$0.64
2500$0.31169$779.225
5000$0.29134$1456.7
12500$0.28117$3514.625
25000$0.27562$6890.5

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top