Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

BSC015NE2LS5IATMA1

BSC015NE2LS5IATMA1
Увеличить

Только для справки

номер части BSC015NE2LS5IATMA1
LIXINC Part # BSC015NE2LS5IATMA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 25V 33A/100A TDSON
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD BSC015NE2LS5IATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

BSC015NE2LS5IATMA1 Технические характеристики

номер части:BSC015NE2LS5IATMA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:OptiMOS™
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):25 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:33A (Ta), 100A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:1.5mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:2V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:30 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±16V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:2000 pF @ 12 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):2.5W (Ta), 50W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TDSON-8-6
упаковка / чехол:8-PowerTDFN

BSC015NE2LS5IATMA1 Документы

if BSC015NE2LS5IATMA1 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

TK10A80E,S4X TK10A80E,S4X MOSFET N-CH 800V 10A TO220SIS 945

Подробнее о заказе
SIHH14N65E-T1-GE3 SIHH14N65E-T1-GE3 MOSFET N-CH 650V 15A PPAK 8 X 8 6834

Подробнее о заказе
ZVN2120GTA ZVN2120GTA MOSFET N-CH 200V 320MA SOT223 2576

Подробнее о заказе
IRF6614TRPBF IRF6614TRPBF MOSFET N-CH 40V 12.7A DIRECTFET 16274

Подробнее о заказе
APT9M100B APT9M100B MOSFET N-CH 1000V 9A TO247 844

Подробнее о заказе
IXTA160N10T7 IXTA160N10T7 MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7 2465

Подробнее о заказе
IPAN60R180P7SXKSA1 IPAN60R180P7SXKSA1 MOSFET 600V TO220 FULL PACK 971

Подробнее о заказе
DMG7401SFG-7 DMG7401SFG-7 MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8 38839

Подробнее о заказе
SI3443CDV-T1-E3 SI3443CDV-T1-E3 MOSFET P-CH 20V 5.97A 6TSOP 5032

Подробнее о заказе
MSJU11N65-TP MSJU11N65-TP MOSFET N-CH 650V 11A DPAK 5800

Подробнее о заказе
SIHG460B-GE3 SIHG460B-GE3 MOSFET N-CH 500V 20A TO247AC 834

Подробнее о заказе
APT60M60JLL APT60M60JLL MOSFET N-CH 600V 70A ISOTOP 982

Подробнее о заказе
SIRC10DP-T1-GE3 SIRC10DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8 5979

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10867 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$1.67000$1.67
5000$0.67321$3366.05

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top