Только для справки
| номер части | TPN7R506NH,L1Q |
| LIXINC Part # | TPN7R506NH,L1Q |
| Производитель | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | TPN7R506NH,L1Q След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | TPN7R506NH,L1Q |
| Бренд: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| ряд: | U-MOSVIII-H |
| упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 60 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 26A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 6.5V, 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 7.5mOhm @ 13A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 4V @ 200µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 22 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 1800 pF @ 30 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 700mW (Ta), 42W (Tc) |
| Рабочая Температура: | 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| упаковка / чехол: | 8-PowerVDFN |
| DMN2053U-13 | MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23 T&R 1 | 852 Подробнее о заказе |
|
| STF13NM60ND | MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP | 1848 Подробнее о заказе |
|
| BSC015NE2LS5IATMA1 | MOSFET N-CH 25V 33A/100A TDSON | 827 Подробнее о заказе |
|
| TK10A80E,S4X | MOSFET N-CH 800V 10A TO220SIS | 912 Подробнее о заказе |
|
| SIHH14N65E-T1-GE3 | MOSFET N-CH 650V 15A PPAK 8 X 8 | 6910 Подробнее о заказе |
|
| ZVN2120GTA | MOSFET N-CH 200V 320MA SOT223 | 2692 Подробнее о заказе |
|
| IRF6614TRPBF | MOSFET N-CH 40V 12.7A DIRECTFET | 16301 Подробнее о заказе |
|
| APT9M100B | MOSFET N-CH 1000V 9A TO247 | 997 Подробнее о заказе |
|
| IXTA160N10T7 | MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7 | 2364 Подробнее о заказе |
|
| IPAN60R180P7SXKSA1 | MOSFET 600V TO220 FULL PACK | 878 Подробнее о заказе |
|
| DMG7401SFG-7 | MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8 | 38888 Подробнее о заказе |
|
| SI3443CDV-T1-E3 | MOSFET P-CH 20V 5.97A 6TSOP | 5084 Подробнее о заказе |
|
| MSJU11N65-TP | MOSFET N-CH 650V 11A DPAK | 5674 Подробнее о заказе |
| В наличии | 10977 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.97000 | $0.97 |
| 5000 | $0.38717 | $1935.85 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.