TPN7R506NH,L1Q

TPN7R506NH,L1Q
Увеличить

Только для справки

номер части TPN7R506NH,L1Q
LIXINC Part # TPN7R506NH,L1Q
Производитель Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD TPN7R506NH,L1Q След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

TPN7R506NH,L1Q Технические характеристики

номер части:TPN7R506NH,L1Q
Бренд:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ряд:U-MOSVIII-H
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):60 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:26A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):6.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:7.5mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:4V @ 200µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:22 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:1800 pF @ 30 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):700mW (Ta), 42W (Tc)
Рабочая Температура:150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:8-TSON Advance (3.3x3.3)
упаковка / чехол:8-PowerVDFN

Продукты, которые могут вас заинтересовать

DMN2053U-13 DMN2053U-13 MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23 T&R 1 852

Подробнее о заказе

STF13NM60ND STF13NM60ND MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP 1848

Подробнее о заказе

BSC015NE2LS5IATMA1 BSC015NE2LS5IATMA1 MOSFET N-CH 25V 33A/100A TDSON 827

Подробнее о заказе

TK10A80E,S4X TK10A80E,S4X MOSFET N-CH 800V 10A TO220SIS 912

Подробнее о заказе

SIHH14N65E-T1-GE3 SIHH14N65E-T1-GE3 MOSFET N-CH 650V 15A PPAK 8 X 8 6910

Подробнее о заказе

ZVN2120GTA ZVN2120GTA MOSFET N-CH 200V 320MA SOT223 2692

Подробнее о заказе

IRF6614TRPBF IRF6614TRPBF MOSFET N-CH 40V 12.7A DIRECTFET 16301

Подробнее о заказе

APT9M100B APT9M100B MOSFET N-CH 1000V 9A TO247 997

Подробнее о заказе

IXTA160N10T7 IXTA160N10T7 MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7 2364

Подробнее о заказе

IPAN60R180P7SXKSA1 IPAN60R180P7SXKSA1 MOSFET 600V TO220 FULL PACK 878

Подробнее о заказе

DMG7401SFG-7 DMG7401SFG-7 MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8 38888

Подробнее о заказе

SI3443CDV-T1-E3 SI3443CDV-T1-E3 MOSFET P-CH 20V 5.97A 6TSOP 5084

Подробнее о заказе

MSJU11N65-TP MSJU11N65-TP MOSFET N-CH 650V 11A DPAK 5674

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10977 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$0.97000$0.97
5000$0.38717$1935.85

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top