IPD050N03LGBTMA1 | IR (Infineon Technologies) IPD050N03LGBTMA1 | IPD050N03LGBTMA1 Inventory, Best Pricing

IPD050N03LGBTMA1

Увеличить

Только для справки

номер части	IPD050N03LGBTMA1
LIXINC Part #	IPD050N03LGBTMA1
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	IPD050N03LGBTMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

IPD050N03LGBTMA1 Технические характеристики

номер части:	IPD050N03LGBTMA1
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	OptiMOS™
упаковка:	Tape & Reel (TR)
статус детали:	Not For New Designs
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	30 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	50A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	5mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.2V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	31 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	3200 pF @ 15 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	68W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	PG-TO252-3-11
упаковка / чехол:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

FQPF9N50T	MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220F	11813 Подробнее о заказе
DMN2300UFD-7	MOSFET N-CH 20V 1.21A 3DFN	866 Подробнее о заказе
IXTL2N470	MOSFET N-CH 4700V 2A I5PAK	1019 Подробнее о заказе
STH130N8F7-2	MOSFET N-CH 80V 110A H2PAK-2	987 Подробнее о заказе
CSD17552Q3A	MOSFET N-CH 30V 15A/60A 8SON	2301 Подробнее о заказе
MPF4856RLRA	SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET	12894 Подробнее о заказе
IRLMS6802TRPBF	MOSFET P-CH 20V 5.6A MICRO6	949 Подробнее о заказе
SPD06N60C3BTMA1	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6	10502 Подробнее о заказе
BSS315PH6327XTSA1	MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3	31944 Подробнее о заказе
APTC60DAM18CTG	MOSFET N-CH 600V 143A SP4	918 Подробнее о заказе
IPP65R660CFDXKSA1	MOSFET N-CH 650V 6A TO220-3	845 Подробнее о заказе
BSZ100N03LSGATMA1	MOSFET N-CH 30V 12A/40A 8TSDSON	3228 Подробнее о заказе
DMNH6008SCTQ	MOSFET N-CH 60V 130A TO220AB	3755 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$0.49490	$0.4949
2500	$0.49490	$1237.25

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015