BSS225H6327XTSA1

BSS225H6327XTSA1
Увеличить

Только для справки

номер части BSS225H6327XTSA1
LIXINC Part # BSS225H6327XTSA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD BSS225H6327XTSA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 27 - Jan 31 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

BSS225H6327XTSA1 Технические характеристики

номер части:BSS225H6327XTSA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:SIPMOS™
упаковка:Tape & Reel (TR)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):600 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:90mA (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:45Ohm @ 90mA, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:2.3V @ 94µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:5.8 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:131 pF @ 25 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):1W (Ta)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-SOT89
упаковка / чехол:TO-243AA

Продукты, которые могут вас заинтересовать

SPP04N80C3XKSA1 SPP04N80C3XKSA1 MOSFET N-CH 800V 4A TO220-3 817

Подробнее о заказе

FDP3632 FDP3632 MOSFET N-CH 100V 12A/80A TO220-3 872

Подробнее о заказе

IRF730PBF IRF730PBF MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB 4403

Подробнее о заказе

AUIRF7769L2TR AUIRF7769L2TR MOSFET N-CH 100V 375A DIRECTFET 973

Подробнее о заказе

BUK6C2R1-55C,118 BUK6C2R1-55C,118 MOSFET N-CH 55V 228A D2PAK 828

Подробнее о заказе

FDP8870 FDP8870 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 3280

Подробнее о заказе

FDZ7296 FDZ7296 MOSFET N-CH 30V 11A 18BGA 5714

Подробнее о заказе

TK100S04N1L,LXHQ TK100S04N1L,LXHQ MOSFET N-CH 40V 100A DPAK 6788

Подробнее о заказе

TK28N65W,S1F TK28N65W,S1F MOSFET N-CH 650V 27.6A TO247 1018

Подробнее о заказе

DMN5L06WK-7 DMN5L06WK-7 MOSFET N-CH 50V 300MA SOT323 43045

Подробнее о заказе

IPI65R600C6 IPI65R600C6 N-CHANNEL POWER MOSFET 1000

Подробнее о заказе

BUK9C10-55BIT/A,11 BUK9C10-55BIT/A,11 MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK-7 2686

Подробнее о заказе

STP52N25M5 STP52N25M5 MOSFET N-CH 250V 28A TO220 911

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10961 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$0.18768$0.18768
1000$0.18768$187.68

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top