Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

IPB80N06S208ATMA1

IPB80N06S208ATMA1
Увеличить

Только для справки

номер части IPB80N06S208ATMA1
LIXINC Part # IPB80N06S208ATMA1
Производитель Rochester Electronics
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3-2
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPB80N06S208ATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPB80N06S208ATMA1 Технические характеристики

номер части:IPB80N06S208ATMA1
Бренд:Rochester Electronics
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Rochester Electronics
ряд:OptiMOS™
упаковка:Bulk
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):55 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:80A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:7.7mOhm @ 58A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:4V @ 150µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:96 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:2.86 pF @ 25 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):215W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TO263-3-2
упаковка / чехол:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IPB80N06S208ATMA1 Документы

if IPB80N06S208ATMA1 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

BSS225H6327XTSA1 BSS225H6327XTSA1 MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89 804

Подробнее о заказе
SPP04N80C3XKSA1 SPP04N80C3XKSA1 MOSFET N-CH 800V 4A TO220-3 996

Подробнее о заказе
FDP3632 FDP3632 MOSFET N-CH 100V 12A/80A TO220-3 969

Подробнее о заказе
IRF730PBF IRF730PBF MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB 4410

Подробнее о заказе
AUIRF7769L2TR AUIRF7769L2TR MOSFET N-CH 100V 375A DIRECTFET 894

Подробнее о заказе
BUK6C2R1-55C,118 BUK6C2R1-55C,118 MOSFET N-CH 55V 228A D2PAK 957

Подробнее о заказе
FDP8870 FDP8870 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 3203

Подробнее о заказе
FDZ7296 FDZ7296 MOSFET N-CH 30V 11A 18BGA 5817

Подробнее о заказе
TK100S04N1L,LXHQ TK100S04N1L,LXHQ MOSFET N-CH 40V 100A DPAK 6927

Подробнее о заказе
TK28N65W,S1F TK28N65W,S1F MOSFET N-CH 650V 27.6A TO247 925

Подробнее о заказе
DMN5L06WK-7 DMN5L06WK-7 MOSFET N-CH 50V 300MA SOT323 43057

Подробнее о заказе
IPI65R600C6 IPI65R600C6 N-CHANNEL POWER MOSFET 809

Подробнее о заказе
BUK9C10-55BIT/A,11 BUK9C10-55BIT/A,11 MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK-7 2794

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 11889 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$0.61000$0.61

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top