IPB160N04S3H2ATMA1 | Rochester Electronics IPB160N04S3H2ATMA1 | IPB160N04S3H2ATMA1 Inventory, Best Pricing

IPB160N04S3H2ATMA1

Увеличить

Только для справки

номер части	IPB160N04S3H2ATMA1
LIXINC Part #	IPB160N04S3H2ATMA1
Производитель	Rochester Electronics
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	IPB160N04S3H2ATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

IPB160N04S3H2ATMA1 Технические характеристики

номер части:	IPB160N04S3H2ATMA1
Бренд:	Rochester Electronics
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Rochester Electronics
ряд:	OptiMOS™
упаковка:	Bulk
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	40 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	160A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	10V
rds on (max) @ id, vgs:	2.1mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	4V @ 150µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	145 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	9.6 pF @ 25 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	214W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	PG-TO263-7-3
упаковка / чехол:	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$1.39000	$1.39
1000	$1.34267	$1342.67

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015