Только для справки
| номер части | FDD5614P |
| LIXINC Part # | FDD5614P |
| Производитель | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET P-CH 60V 15A TO252 |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | FDD5614P След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | FDD5614P |
| Бренд: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| ряд: | PowerTrench® |
| упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | P-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 60 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 15A (Ta) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 4.5V, 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 100mOhm @ 4.5A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 3V @ 250µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 24 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 759 pF @ 30 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 3.8W (Ta), 42W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | TO-252 |
| упаковка / чехол: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| EPC2021 | GANFET N-CH 80V 90A DIE | 12955 Подробнее о заказе |
|
| ZXMN3B04N8TA | MOSFET N-CH 30V 7.2A 8SO | 809 Подробнее о заказе |
|
| FQD5N20LTM | MOSFET N-CH 200V 3.8A DPAK | 2727 Подробнее о заказе |
|
| IXFH13N80 | MOSFET N-CH 800V 13A TO247AD | 1622 Подробнее о заказе |
|
| IPA60R520E6XKSA1 | MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220-FP | 871 Подробнее о заказе |
|
| DKI06186 | MOSFET N-CH 60V 31A TO252 | 806 Подробнее о заказе |
|
| IRFR4105TRLPBF | MOSFET N-CH 55V 27A DPAK | 817 Подробнее о заказе |
|
| IPT004N03LATMA1 | MOSFET N-CH 30V 300A 8HSOF | 983 Подробнее о заказе |
|
| IPW60R199CP | 16A, 600V, 0.199OHM, N-CHANNEL M | 934 Подробнее о заказе |
|
| SIRA01DP-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 26A/60A PPAK SO8 | 1987 Подробнее о заказе |
|
| IPD90N04S40-4ATMA1 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 866 Подробнее о заказе |
|
| RM170N30DF | MOSFET N-CHANNEL 30V 170A 8DFN | 813 Подробнее о заказе |
|
| BSC882N03MSG | N-CHANNEL POWER MOSFET | 24864 Подробнее о заказе |
| В наличии | 10839 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.75000 | $0.75 |
| 2500 | $0.33315 | $832.875 |
| 5000 | $0.31140 | $1557 |
| 12500 | $0.30052 | $3756.5 |
| 25000 | $0.29458 | $7364.5 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.