FQB7P20TM-F085 | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FQB7P20TM-F085

FQB7P20TM-F085

Увеличить

Только для справки

номер части	FQB7P20TM-F085
LIXINC Part #	FQB7P20TM-F085
Производитель	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET P-CH 200V 7.3A D2PAK
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	FQB7P20TM-F085 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

FQB7P20TM-F085 Технические характеристики

номер части:	FQB7P20TM-F085
Бренд:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ряд:	Automotive, AEC-Q101, QFET®
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Not For New Designs
тип фета:	P-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	200 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	7.3A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	10V
rds on (max) @ id, vgs:	690mOhm @ 3.65A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	5V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	25 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±30V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	770 pF @ 25 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	3.13W (Ta), 90W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	D²PAK (TO-263AB)
упаковка / чехол:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

R6004ENDTL	MOSFET N-CH 600V 4A CPT3	3410 Подробнее о заказе
IXFH230N075T2	MOSFET N-CH 75V 230A TO247AD	1689 Подробнее о заказе
FQPF18N20V2	MOSFET N-CH 200V 18A TO220F	2126 Подробнее о заказе
IPW60R250CPFKSA1	N-CHANNEL POWER MOSFET	975 Подробнее о заказе
BUK7Y6R0-60EX	MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56	918 Подробнее о заказе
IPD70N04S307ATMA1	N-CHANNEL POWER MOSFET	10714 Подробнее о заказе
AOB282L	MOSFET N-CH 80V 18.5A/105A TO263	837 Подробнее о заказе
FQNL2N50BTA	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 0	20862 Подробнее о заказе
DMP6185SE-13	MOSFET P-CH 60V 3A SOT223	3225 Подробнее о заказе
BUK9608-55B,118	MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK	41540 Подробнее о заказе
SPI07N65C3	N-CHANNEL POWER MOSFET	1304 Подробнее о заказе
STF6N60DM2	MOSFET N-CH 600V 5A TO220FP	950 Подробнее о заказе
PMV77EN215	SMALL SIGNAL FET	21942 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015