Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

NTMFS5C604NLT1G

NTMFS5C604NLT1G
Увеличить

Только для справки

номер части NTMFS5C604NLT1G
LIXINC Part # NTMFS5C604NLT1G
Производитель Rochester Electronics
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD NTMFS5C604NLT1G След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

NTMFS5C604NLT1G Технические характеристики

номер части:NTMFS5C604NLT1G
Бренд:Rochester Electronics
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Rochester Electronics
ряд:-
упаковка:Bulk
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):60 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:38A (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:1.2mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:2V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:120 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:8.9 pF @ 25 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):3.9W (Ta), 200W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:5-DFN (5x6) (8-SOFL)
упаковка / чехол:8-PowerTDFN, 5 Leads

NTMFS5C604NLT1G Документы

if NTMFS5C604NLT1G PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

FQPF33N10 FQPF33N10 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 892

Подробнее о заказе
STI57N65M5 STI57N65M5 MOSFET N-CH 650V 42A I2PAK 899

Подробнее о заказе
SI4101DY-T1-GE3 SI4101DY-T1-GE3 MOSFET P-CH 30V 25.7A 8SO 4647

Подробнее о заказе
IXTA90N075T2-TRL IXTA90N075T2-TRL MOSFET N-CH 75V 90A TO263 930

Подробнее о заказе
BSB014N04LX3GXUMA1 BSB014N04LX3GXUMA1 MOSFET N-CH 40V 36A/180A 2WDSON 5896

Подробнее о заказе
PSMN6R5-30MLDX PSMN6R5-30MLDX MOSFET N-CH 30V 65A LFPAK33 945

Подробнее о заказе
NX5008NBKMYL NX5008NBKMYL MOSFET N-CH 50V 350MA DFN1006-3 839

Подробнее о заказе
2SJ661-DL-1EX 2SJ661-DL-1EX MOSFET P-CH D2PAK 5567

Подробнее о заказе
IXFP3N120 IXFP3N120 MOSFET N-CH 1200V 3A TO220AB 1472104

Подробнее о заказе
STP200NF04 STP200NF04 MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB 908

Подробнее о заказе
BSD214SNL6327 BSD214SNL6327 SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET 48591

Подробнее о заказе
FDS6162N3 FDS6162N3 MOSFET N-CH 20V 21A 8SO 34132

Подробнее о заказе
SIRA36DP-T1-GE3 SIRA36DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 991

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 14213 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$1.61000$1.61
1500$1.61000$2415
3000$1.52950$4588.5

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top