SQJ401EP-T1_GE3

SQJ401EP-T1_GE3
Увеличить

Только для справки

номер части SQJ401EP-T1_GE3
LIXINC Part # SQJ401EP-T1_GE3
Производитель Vishay / Siliconix
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET P-CH 12V 32A PPAK SO-8
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD SQJ401EP-T1_GE3 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 27 - Jan 31 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

SQJ401EP-T1_GE3 Технические характеристики

номер части:SQJ401EP-T1_GE3
Бренд:Vishay / Siliconix
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Vishay / Siliconix
ряд:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:P-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):12 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:32A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):2.5V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs:6mOhm @ 15A, 4.5V
vgs(th) (макс.) @ id:1.5V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:164 nC @ 4.5 V
ВГС (макс.):±8V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:10015 pF @ 6 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):83W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PowerPAK® SO-8
упаковка / чехол:PowerPAK® SO-8

Продукты, которые могут вас заинтересовать

FQPF20N06 FQPF20N06 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 1507

Подробнее о заказе

SI4630DY-T1-E3 SI4630DY-T1-E3 MOSFET N-CH 25V 40A 8SO 1810

Подробнее о заказе

GKI03061 GKI03061 MOSFET N-CH 30V 14A 8DFN 961

Подробнее о заказе

NTB190N65S3HF NTB190N65S3HF MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK-3 862

Подробнее о заказе

RSQ045N03HZGTR RSQ045N03HZGTR MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6 1856

Подробнее о заказе

IRFL110TRPBF-BE3 IRFL110TRPBF-BE3 MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223 3339

Подробнее о заказе

BSP373E6327 BSP373E6327 N-CHANNEL POWER MOSFET 994

Подробнее о заказе

FQP7N65C FQP7N65C MOSFET N-CH 650V 7A TO220-3 26304

Подробнее о заказе

IXTQ10P50P IXTQ10P50P MOSFET P-CH 500V 10A TO3P 938

Подробнее о заказе

STW48N60M2 STW48N60M2 MOSFET N-CH 600V 42A TO247 1368

Подробнее о заказе

R6020KNZ1C9 R6020KNZ1C9 MOSFET N-CH 600V 20A TO247 1048

Подробнее о заказе

ZXMN10A25KTC ZXMN10A25KTC MOSFET N-CH 100V 4.2A TO252-3 1127

Подробнее о заказе

TSM60NB190CI C0G TSM60NB190CI C0G MOSFET N-CH 600V 18A ITO220AB 4798

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 13709 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$1.93000$1.93
3000$0.97692$2930.76
6000$0.94302$5658.12

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top