IPD90N06S4L03ATMA2

IPD90N06S4L03ATMA2
Увеличить

Только для справки

номер части IPD90N06S4L03ATMA2
LIXINC Part # IPD90N06S4L03ATMA2
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPD90N06S4L03ATMA2 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPD90N06S4L03ATMA2 Технические характеристики

номер части:IPD90N06S4L03ATMA2
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):60 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:90A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:3.5mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:2.2V @ 90µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:170 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±16V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:13000 pF @ 25 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):150W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TO252-3-11
упаковка / чехол:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Продукты, которые могут вас заинтересовать

STB40N60M2 STB40N60M2 MOSFET N-CH 600V 34A D2PAK 2656

Подробнее о заказе

IPP230N06L3G IPP230N06L3G N-CHANNEL POWER MOSFET 10445

Подробнее о заказе

FDP80N06 FDP80N06 MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3 1278

Подробнее о заказе

DMP10H4D2S-7 DMP10H4D2S-7 MOSFET P-CH 100V 270MA SOT23 813

Подробнее о заказе

STP11N52K3 STP11N52K3 MOSFET N-CH 525V 10A TO220 862

Подробнее о заказе

FDMC6296 FDMC6296 MOSFET N-CH 30V 11.5A 8MLP 21001

Подробнее о заказе

IPB015N04LGATMA1 IPB015N04LGATMA1 MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK 997

Подробнее о заказе

SQJA06EP-T1_GE3 SQJA06EP-T1_GE3 MOSFET N-CH 60V 57A PPAK SO-8 3185

Подробнее о заказе

STD16NF06LT4 STD16NF06LT4 MOSFET N-CH 60V 24A DPAK 11246

Подробнее о заказе

IXTP86N20T IXTP86N20T MOSFET N-CH 200V 86A TO220AB 2146

Подробнее о заказе

FQI17P10TU FQI17P10TU P-CHANNEL POWER MOSFET 1966

Подробнее о заказе

IRF2807STRRPBF IRF2807STRRPBF MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK 860

Подробнее о заказе

PSMNR70-40SSHJ PSMNR70-40SSHJ MOSFET N-CH 40V 425A LFPAK88 2531

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 13067 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$1.91000$1.91
2500$0.91554$2288.85

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top