Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

BSC123N10LSGATMA1

BSC123N10LSGATMA1
Увеличить

Только для справки

номер части BSC123N10LSGATMA1
LIXINC Part # BSC123N10LSGATMA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 100V 10.6/71A 8TDSON
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD BSC123N10LSGATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

BSC123N10LSGATMA1 Технические характеристики

номер части:BSC123N10LSGATMA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:OptiMOS™
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):100 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:10.6A (Ta), 71A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:12.3mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:2.4V @ 72µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:68 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:4900 pF @ 50 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):114W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TDSON-8-1
упаковка / чехол:8-PowerTDFN

BSC123N10LSGATMA1 Документы

if BSC123N10LSGATMA1 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

NP100P04PLG-E1-AY NP100P04PLG-E1-AY MOSFET P-CH 40V 100A TO263 834

Подробнее о заказе
IXFA30N25X3 IXFA30N25X3 MOSFET N-CHANNEL 250V 30A TO263 4862

Подробнее о заказе
IRFS3107TRL7PP IRFS3107TRL7PP MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK 1691

Подробнее о заказе
SQJ411EP-T1_GE3 SQJ411EP-T1_GE3 MOSFET P-CH 12V 60A PPAK SO-8 2295

Подробнее о заказе
DMP2010UFG-7 DMP2010UFG-7 MOSFET P-CH 20V 12.7A PWRDI3333 2993

Подробнее о заказе
BSP372L6327HTSA1 BSP372L6327HTSA1 MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223-4 885

Подробнее о заказе
PMV60EN,215 PMV60EN,215 MOSFET N-CH 30V 4.7A TO236AB 53398

Подробнее о заказе
SIR632DP-T1-RE3 SIR632DP-T1-RE3 MOSFET N-CH 150V 29A PPAK SO-8 4399

Подробнее о заказе
AONS36302 AONS36302 MOSFET N-CH 30V 146A 8DFN 959

Подробнее о заказе
IRF7601PBF IRF7601PBF MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO8 843

Подробнее о заказе
STB34N65M5 STB34N65M5 MOSFET N-CH 650V 28A D2PAK 1391

Подробнее о заказе
IXFN400N15X3 IXFN400N15X3 MOSFET N-CH 150V 400A SOT227B 933

Подробнее о заказе
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF MOSFET N-CH 100V 42A DPAK 864

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 29968 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$1.75000$1.75
5000$0.84291$4214.55
10000$0.82522$8252.2

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top