Только для справки
| номер части | FQB19N20TM |
| LIXINC Part # | FQB19N20TM |
| Производитель | Rochester Electronics |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 200V 19.4A D2PAK |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | FQB19N20TM След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | FQB19N20TM |
| Бренд: | Rochester Electronics |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Rochester Electronics |
| ряд: | QFET® |
| упаковка: | Bulk |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 200 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 19.4A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 150mOhm @ 9.7A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 5V @ 250µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 40 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±30V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 1.6 pF @ 25 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 3.13W (Ta), 140W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | D²PAK (TO-263AB) |
| упаковка / чехол: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| SI2369BDS-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 5.6A/7.5A SOT23 | 5531 Подробнее о заказе |
|
| SI7738DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 150V 30A PPAK SO-8 | 3914 Подробнее о заказе |
|
| RM40N200TI | MOSFET N-CHANNEL 200V 40A TO220F | 965 Подробнее о заказе |
|
| BUK661R9-40C,118 | MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK | 4618 Подробнее о заказе |
|
| RW1E014SNT2R | MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6 | 8657 Подробнее о заказе |
|
| DMN3027LFG-7 | MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI3333-8 | 1584 Подробнее о заказе |
|
| DMT43M8LFV-7 | MOSFET N-CH 40V 87A POWERDI3333 | 853 Подробнее о заказе |
|
| BSC098N10NS5ATMA1 | MOSFET N-CH 100V 60A TDSON | 5706 Подробнее о заказе |
|
| SQS423EN-T1_GE3 | MOSFET P-CH 30V 16A PPAK1212-8 | 3457 Подробнее о заказе |
|
| IXFT140N10P | MOSFET N-CH 100V 140A TO268 | 1480 Подробнее о заказе |
|
| DMTH6010SK3-13 | MOSFET N-CH 60V 16.3A/70A TO252 | 955 Подробнее о заказе |
|
| AOB482L | MOSFET N-CH 80V 11A/105A TO263 | 904 Подробнее о заказе |
|
| DMTH43M8LPSQ-13 | MOSFET N-CH 40V 22A PWRDI5060 | 2811 Подробнее о заказе |
| В наличии | 11604 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.73000 | $0.73 |
| 800 | $0.73000 | $584 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.