Только для справки
| номер части | IRF640NSTRLPBF |
| LIXINC Part # | IRF640NSTRLPBF |
| Производитель | Rochester Electronics |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | HEXFET POWER MOSFET |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | IRF640NSTRLPBF След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | IRF640NSTRLPBF |
| Бренд: | Rochester Electronics |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Rochester Electronics |
| ряд: | HEXFET® |
| упаковка: | Bulk |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 200 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 18A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 150mOhm @ 11A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 4V @ 250µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 67 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 1.16 pF @ 25 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 150W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | D2PAK |
| упаковка / чехол: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| AOB266L | MOSFET N-CH 60V 18A/140A TO263 | 843 Подробнее о заказе |
|
| APT20M20JFLL | MOSFET N-CH 200V 104A ISOTOP | 858 Подробнее о заказе |
|
| HAT2173N-EL-E | MOSFET N-CH 100V 25A 8LFPAK | 25880 Подробнее о заказе |
|
| BUK9520-100A,127 | PFET, 63A I(D), 100V, 0.022OHM, | 3838 Подробнее о заказе |
|
| SI7317DN-T1-GE3 | MOSFET P-CH 150V 2.8A PPAK1212-8 | 7173 Подробнее о заказе |
|
| IXTH1N200P3 | MOSFET N-CH 2000V 1A TO247 | 29539 Подробнее о заказе |
|
| SKI03063 | MOSFET N-CH 30V 40A TO263 | 971 Подробнее о заказе |
|
| AOD7N60 | MOSFET N-CH 600V 7A TO252 | 891 Подробнее о заказе |
|
| SI4848DY-T1-GE3 | MOSFET N-CH 150V 2.7A 8SO | 2601 Подробнее о заказе |
|
| DMN90H8D5HCT | MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220AB | 1015 Подробнее о заказе |
|
| AOD480 | MOSFET N-CH 30V 25A TO252 | 808 Подробнее о заказе |
|
| IMBG120R140M1HXTMA1 | TRANS SJT N-CH 1.2KV 18A TO263 | 1762 Подробнее о заказе |
|
| AOD2210 | MOSFET N-CH 200V 3A/18A TO252 | 831 Подробнее о заказе |
| В наличии | 10915 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.55000 | $0.55 |
| 800 | $0.31882 | $255.056 |
| 1600 | $0.29098 | $465.568 |
| 2400 | $0.27359 | $656.616 |
| 5600 | $0.26141 | $1463.896 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.