Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

IPA60R099P7XKSA1

IPA60R099P7XKSA1
Увеличить

Только для справки

номер части IPA60R099P7XKSA1
LIXINC Part # IPA60R099P7XKSA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 600V 31A TO220
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPA60R099P7XKSA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPA60R099P7XKSA1 Технические характеристики

номер части:IPA60R099P7XKSA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:CoolMOS™ P7
упаковка:Tube
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):600 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:31A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:99mOhm @ 10.5A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:4V @ 530µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:45 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:1952 pF @ 400 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):29W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Through Hole
пакет устройств поставщика:PG-TO220 Full Pack
упаковка / чехол:TO-220-3 Full Pack

IPA60R099P7XKSA1 Документы

if IPA60R099P7XKSA1 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

FDP12N60NZ FDP12N60NZ MOSFET N-CH 600V 12A TO220-3 1806

Подробнее о заказе
SQ2361ES-T1_GE3 SQ2361ES-T1_GE3 MOSFET P-CH 60V 2.8A SSOT23 115273

Подробнее о заказе
IPD80R750P7ATMA1 IPD80R750P7ATMA1 MOSFET N-CH 800V 7A TO252-3 1385

Подробнее о заказе
AUIRLR2905TRL AUIRLR2905TRL AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNEL 21000

Подробнее о заказе
TSM2323CX RFG TSM2323CX RFG MOSFET P-CHANNEL 20V 4.7A SOT23 880

Подробнее о заказе
SFS9Z34 SFS9Z34 P-CHANNEL POWER MOSFET 3624

Подробнее о заказе
NTD5C464NT4G NTD5C464NT4G MOSFET N-CH 40V 19A/59A DPAK 922

Подробнее о заказе
IXTQ60N20L2 IXTQ60N20L2 MOSFET N-CH 200V 60A TO3P 1872

Подробнее о заказе
IPP80P04P4L08AKSA1 IPP80P04P4L08AKSA1 OPTIMOS POWER-TRANSISTOR 15549

Подробнее о заказе
BSS138-13-F BSS138-13-F MOSFET N-CH 50V SOT23 T&R 10K 862

Подробнее о заказе
IRLML2244TRPBF IRLML2244TRPBF MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23 2638

Подробнее о заказе
TK12A55D(STA4,Q,M) TK12A55D(STA4,Q,M) MOSFET N-CH 550V 12A TO220SIS 899

Подробнее о заказе
STP27N60M2-EP STP27N60M2-EP MOSFET N-CH 600V 20A TO220 867

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10880 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$4.18000$4.18
10$3.75813$37.5813
100$3.12534$312.534
500$2.57698$1288.49
1000$2.21140$2211.4

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top