Только для справки
| номер части | FDG330P |
| LIXINC Part # | FDG330P |
| Производитель | Rochester Electronics |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET P-CH 12V 2A SC88 |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | FDG330P След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | FDG330P |
| Бренд: | Rochester Electronics |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Rochester Electronics |
| ряд: | PowerTrench® |
| упаковка: | Bulk |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | P-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 12 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 2A (Ta) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | - |
| rds on (max) @ id, vgs: | 110mOhm @ 2A, 4.5V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 1.5V @ 250µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 7 nC @ 4.5 V |
| ВГС (макс.): | ±8V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 477 pF @ 6 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 480mW (Ta) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | SC-88 (SC-70-6) |
| упаковка / чехол: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| TPH3206PD | GANFET N-CH 600V 17A TO220AB | 1139 Подробнее о заказе |
|
| FQAF11N90 | MOSFET N-CH 900V 7.2A TO3PF | 2357 Подробнее о заказе |
|
| IXFH4N100Q | MOSFET N-CH 1000V 4A TO247AD | 994 Подробнее о заказе |
|
| FDMS86310 | MOSFET N-CH 80V 17A/50A 8PQFN | 462615870 Подробнее о заказе |
|
| IPB035N08N3GATMA1 | MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK | 1730 Подробнее о заказе |
|
| AOB9N70L | MOSFET N-CH 700V 9A TO263 | 922 Подробнее о заказе |
|
| SIJ482DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8 | 2886 Подробнее о заказе |
|
| PMV65UNER | MOSFET N-CH 20V 2.8A TO236AB | 8122 Подробнее о заказе |
|
| NVMFS5C612NLWFAFT3G | MOSFET N-CH 60V 38A/250A 5DFN | 880 Подробнее о заказе |
|
| NDS8426A | MOSFET N-CH 20V 10.5A 8SOIC | 297613 Подробнее о заказе |
|
| IXTT34N65X2HV | MOSFET N-CH 650V 34A TO268HV | 2296 Подробнее о заказе |
|
| SIHG25N40D-E3 | MOSFET N-CH 400V 25A TO247AC | 1212 Подробнее о заказе |
|
| IPB010N06NATMA1 | MOSFET N-CH 60V 45A/180A TO263-7 | 1877 Подробнее о заказе |
| В наличии | 222365 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.34000 | $0.34 |
| 3000 | $ 0.31182 | $935.46 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.