Только для справки
| номер части | BSC016N04LSGATMA1 |
| LIXINC Part # | BSC016N04LSGATMA1 |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 40V 31A/100A TDSON |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | BSC016N04LSGATMA1 След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | BSC016N04LSGATMA1 |
| Бренд: | IR (Infineon Technologies) |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | IR (Infineon Technologies) |
| ряд: | OptiMOS™ |
| упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| статус детали: | Not For New Designs |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 40 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 31A (Ta), 100A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 4.5V, 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 1.6mOhm @ 50A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 2V @ 85µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 150 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 12000 pF @ 20 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 2.5W (Ta), 139W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | PG-TDSON-8-1 |
| упаковка / чехол: | 8-PowerTDFN |
| NDP6020P | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2 | 1761 Подробнее о заказе |
|
| PMN27UP,115 | SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI | 866 Подробнее о заказе |
|
| IPP60R070CFD7XKSA1 | MOSFET N-CH 650V 31A TO220-3 | 988 Подробнее о заказе |
|
| PMPB15XPH | MOSFET P-CH 12V 8.2A DFN2020MD-6 | 979 Подробнее о заказе |
|
| FDI150N10 | MOSFET N-CH 100V 57A I2PAK | 5561635 Подробнее о заказе |
|
| SQ4470EY-T1_BE3 | MOSFET N-CH 60V 16A 8SOIC | 3384 Подробнее о заказе |
|
| IXTT170N10P | MOSFET N-CH 100V 170A TO268 | 34375 Подробнее о заказе |
|
| SKP202 | MOSFET N-CH 200V 45A TO263-3 | 875 Подробнее о заказе |
|
| TN2504N8-G | MOSFET N-CH 40V 890MA TO243AA | 2392 Подробнее о заказе |
|
| NTD5806NT4G | MOSFET N-CH 40V 33A DPAK | 949 Подробнее о заказе |
|
| CPH3324-TL-E | MOSFET P-CH 60V 1.2A 3CPH | 27840 Подробнее о заказе |
|
| IPA65R190CFDXKSA2 | MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220 | 892 Подробнее о заказе |
|
| FDBL86361-F085 | MOSFET N-CH 80V 300A 8HPSOF | 826 Подробнее о заказе |
| В наличии | 10937 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $2.28000 | $2.28 |
| 5000 | $1.06681 | $5334.05 |
| 10000 | $1.04443 | $10444.3 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.