Только для справки
| номер части | FDR840P |
| LIXINC Part # | FDR840P |
| Производитель | Rochester Electronics |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET P-CH 20V 10A SUPERSOT8 |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | FDR840P След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | FDR840P |
| Бренд: | Rochester Electronics |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Rochester Electronics |
| ряд: | - |
| упаковка: | Bulk |
| статус детали: | Obsolete |
| тип фета: | P-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 20 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 10A (Ta) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 2.5V, 4.5V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 12mOhm @ 10A, 4.5V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 1.5V @ 250µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 60 nC @ 4.5 V |
| ВГС (макс.): | ±12V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 4.481 pF @ 10 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 1.8W (Ta) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | SuperSOT™-8 |
| упаковка / чехол: | 8-LSOP (0.130", 3.30mm Width) |
| DMTH10H010LCTB-13 | MOSFET N-CH 100V 108A TO220AB | 1614 Подробнее о заказе |
|
| IPB100N12S305ATMA1 | MOSFET N-CH 120V 100A TO263-3 | 829 Подробнее о заказе |
|
| BSC120N03LSGATMA1 | MOSFET N-CH 30V 12A/39A TDSON | 33922 Подробнее о заказе |
|
| NTD20N03L27-1G | MOSFET N-CH 30V 20A IPAK | 24430 Подробнее о заказе |
|
| FDD8647L | MOSFET N-CH 40V 14A/42A DPAK | 20112 Подробнее о заказе |
|
| SPD08N05L | N-CHANNEL POWER MOSFET | 989 Подробнее о заказе |
|
| IPAW60R280P7SXKSA1 | MOSFET N-CH 600V 12A TO220 | 970 Подробнее о заказе |
|
| IRFB20N50KPBF | MOSFET N-CH 500V 20A TO220AB | 1925 Подробнее о заказе |
|
| PSMN8R5-108ES | N-CHANNEL POWER MOSFET | 1342 Подробнее о заказе |
|
| IPP60R125CPXKSA1 | MOSFET N-CH 650V 25A TO220-3 | 1946 Подробнее о заказе |
|
| NTE2392 | MOSFET N-CHANNEL 100V 40A TO3 | 1829 Подробнее о заказе |
|
| 2SJ243-T1-A | MOSFET P-CH 30V 100MA SC75-3 USM | 2592 Подробнее о заказе |
|
| 2N6847 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, P | 1314 Подробнее о заказе |
| В наличии | 295269 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.75000 | $0.75 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.