FDS86106 | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor FDS86106

FDS86106

Увеличить

Только для справки

номер части	FDS86106
LIXINC Part #	FDS86106
Производитель	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 100V 3.4A 8SOIC
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	FDS86106 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

FDS86106 Технические характеристики

номер части:	FDS86106
Бренд:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ряд:	PowerTrench®
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	100 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	3.4A (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	6V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	105mOhm @ 3.4A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	4V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	4 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	208 pF @ 50 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	5W (Ta)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	8-SOIC
упаковка / чехол:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

SI3460DDV-T1-GE3	MOSFET N-CH 20V 7.9A 6TSOP	3670 Подробнее о заказе
AUIRF5210STRL	MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK	825 Подробнее о заказе
NCV8440ASTT1G	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2	1699 Подробнее о заказе
FQPF8N80C	MOSFET N-CH 800V 8A TO220F	1160 Подробнее о заказе
DMG3407SSN-7	MOSFET P-CH 30V 4A SC59	802 Подробнее о заказе
BSS670S2LH6433XTMA1	MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23	900 Подробнее о заказе
SIHH20N50E-T1-GE3	MOSFET N-CH 500V 22A PPAK 8 X 8	3628 Подробнее о заказе
SIHP8N50D-GE3	MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB	1218 Подробнее о заказе
FQAF5N90	MOSFET N-CH 900V 4.1A TO3PF	949 Подробнее о заказе
SQM60030E_GE3	MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK	1775 Подробнее о заказе
IRF640NSTRRPBF	IRF640 - HEXFET POWER MOSFET	921 Подробнее о заказе
FDMS8848NZ	MOSFET N-CH 40V 22.8A/49A 8PQFN	2883 Подробнее о заказе
IXTA06N120P-TRL	MOSFET N-CH 1200V 600MA TO263	978 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015