IRLL024NPBF | Rochester Electronics IRLL024NPBF | IRLL024NPBF Inventory, Best Pricing

IRLL024NPBF

Увеличить

Только для справки

номер части	IRLL024NPBF
LIXINC Part #	IRLL024NPBF
Производитель	Rochester Electronics
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	IRLL024NPBF След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

IRLL024NPBF Технические характеристики

номер части:	IRLL024NPBF
Бренд:	Rochester Electronics
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Rochester Electronics
ряд:	HEXFET®
упаковка:	Bulk
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	55 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	3.1A (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	-
rds on (max) @ id, vgs:	65mOhm @ 3.1A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	15.6 nC @ 5 V
ВГС (макс.):	±16V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	510 pF @ 25 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	1W (Ta)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	SOT-223
упаковка / чехол:	TO-261-4, TO-261AA

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015