Только для справки
| номер части | IPU80R1K4CEBKMA1 |
| LIXINC Part # | IPU80R1K4CEBKMA1 |
| Производитель | Rochester Electronics |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 800V 3.9A TO251-3 |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | IPU80R1K4CEBKMA1 След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | IPU80R1K4CEBKMA1 |
| Бренд: | Rochester Electronics |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Rochester Electronics |
| ряд: | CoolMOS™ |
| упаковка: | Tube |
| статус детали: | Obsolete |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 800 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 3.9A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 1.4Ohm @ 2.3A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 3.9V @ 240µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 23 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 570 pF @ 100 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 63W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Through Hole |
| пакет устройств поставщика: | PG-TO251-3 |
| упаковка / чехол: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| SIHH14N60EF-T1-GE3 | MOSFET N-CH 600V 15A PPAK 8 X 8 | 1852 Подробнее о заказе |
|
| RTQ020N05HZGTR | MOSFET N-CH 45V 2A TSMT6 | 3642 Подробнее о заказе |
|
| SI7121DN-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 16A PPAK1212-8 | 2367 Подробнее о заказе |
|
| SI8416DB-T2-E1 | MOSFET N-CH 8V 16A 6MICRO FOOT | 1179 Подробнее о заказе |
|
| PMV75UP,215 | MOSFET P-CH 20V 2.5A TO236AB | 2974 Подробнее о заказе |
|
| SIS184DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 60V 17.4A/65.3A PPAK | 6515 Подробнее о заказе |
|
| NTMFS4839NT1G | MOSFET N-CH 30V 9.5A/64A 5DFN | 269099 Подробнее о заказе |
|
| BSZ105N04NSGATMA1 | OPTLMOS POWER-MOSFET | 978 Подробнее о заказе |
|
| HUF75545S3ST | MOSFET N-CH 80V 75A D2PAK | 1297 Подробнее о заказе |
|
| RFP50N06 | MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3 | 2237 Подробнее о заказе |
|
| IPP029N06NAKSA1 | MOSFET N-CH 60V 24A/100A TO220-3 | 937 Подробнее о заказе |
|
| SIHFR9014-GE3 | MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK | 825 Подробнее о заказе |
|
| IPW65R037C6FKSA1 | MOSFET N-CH 650V 83.2A TO247-3 | 1369 Подробнее о заказе |
| В наличии | 23430 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.33000 | $0.33 |
| 10 | $0.29843 | $2.9843 |
| 100 | $0.23670 | $23.67 |
| 500 | $0.19867 | $99.335 |
| 1000 | $0.16064 | $160.64 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.