Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

BSC047N08NS3GATMA1

BSC047N08NS3GATMA1
Увеличить

Только для справки

номер части BSC047N08NS3GATMA1
LIXINC Part # BSC047N08NS3GATMA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 80V 18A/100A TDSON
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD BSC047N08NS3GATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 27 - Jan 31 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

BSC047N08NS3GATMA1 Технические характеристики

номер части:BSC047N08NS3GATMA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:OptiMOS™
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):80 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:18A (Ta), 100A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):6V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:4.7mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:3.5V @ 90µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:69 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:4800 pF @ 40 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):2.5W (Ta), 125W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TDSON-8-1
упаковка / чехол:8-PowerTDFN

BSC047N08NS3GATMA1 Документы

if BSC047N08NS3GATMA1 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

IMBF170R1K0M1XTMA1 IMBF170R1K0M1XTMA1 SICFET N-CH 1700V 5.2A TO263-7 910

Подробнее о заказе
RM130N100HD RM130N100HD MOSFET N-CH 100V 130A TO263-2 848

Подробнее о заказе
FDN537N FDN537N MOSFET N-CH 30V 6.5A SUPERSOT3 4752

Подробнее о заказе
DMP2018LFK-7 DMP2018LFK-7 MOSFET P-CH 20V 9.2A 6UDFN 162843873

Подробнее о заказе
IRF7404TRPBF IRF7404TRPBF MOSFET P-CH 20V 6.7A 8SO 20501

Подробнее о заказе
BSC032N04LSATMA1 BSC032N04LSATMA1 MOSFET N-CH 40V 21A/98A TDSON 6503

Подробнее о заказе
NVD6824NLT4G NVD6824NLT4G MOSFET N-CH 100V 8.5A/41A DPAK 1967

Подробнее о заказе
CSD18513Q5A CSD18513Q5A MOSFET N-CH 40V 124A 8VSON 3573

Подробнее о заказе
DMT6007LFGQ-7 DMT6007LFGQ-7 MOSFET N-CH 60V 15A PWRDI3333 869

Подробнее о заказе
AO4406A AO4406A MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC 917

Подробнее о заказе
ZVN4424ASTZ ZVN4424ASTZ MOSFET N-CH 240V 260MA E-LINE 74856

Подробнее о заказе
FDMA520PZ FDMA520PZ MOSFET P-CH 20V 7.3A 6MICROFET 894

Подробнее о заказе
IPA50R520CPXKSA1 IPA50R520CPXKSA1 7A, 500V, 0.52OHM, N-CHANNEL, M 17182

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 14227 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$2.99000$2.99
5000$1.37252$6862.6

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top