SIDR392DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix SIDR392DP-T1-GE3 | SIDR392DP-T1-GE3 Inventory, Best Pricing

SIDR392DP-T1-GE3

Увеличить

Только для справки

номер части	SIDR392DP-T1-GE3
LIXINC Part #	SIDR392DP-T1-GE3
Производитель	Vishay / Siliconix
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 30V 82A/100A PPAK
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	SIDR392DP-T1-GE3 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

SIDR392DP-T1-GE3 Технические характеристики

номер части:	SIDR392DP-T1-GE3
Бренд:	Vishay / Siliconix
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Vishay / Siliconix
ряд:	TrenchFET® Gen IV
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	30 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	82A (Ta), 100A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	0.62mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.2V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	188 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	+20V, -16V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	9530 pF @ 15 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	6.25W (Ta), 125W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	PowerPAK® SO-8DC
упаковка / чехол:	PowerPAK® SO-8

IRF7749L2TRPBF	IRF7749 - 12V-300V N-CHANNEL POW	31024 Подробнее о заказе
PSMN7R6-60PS,127	MOSFET N-CH 60V 92A TO220AB	911 Подробнее о заказе
IRFS31N20DTRLP	HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET	982 Подробнее о заказе
SSM3K56CT,L3F	MOSFET N-CH 20V 800MA CST3	26764 Подробнее о заказе
AUIRF1010EZ	AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL	6927 Подробнее о заказе
PSMN9R5-30YLC,115	MOSFET N-CH 30V 44A LFPAK56	13603 Подробнее о заказе
FQD6N50CTF	MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK	9796 Подробнее о заказе
FDA33N25	MOSFET N-CH 250V 33A TO3PN	854 Подробнее о заказе
IPB025N10N3GE8187ATMA1	MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7	835 Подробнее о заказе
DMN4035L-7	MOSFET N-CH 40V 4.6A SOT23	3843 Подробнее о заказе
STF10NM50N	MOSFET N-CH 500V 7A TO220FP	949 Подробнее о заказе
IPB47N10SL-26	IPB47N10 - 75V-100V N-CHANNEL AU	905 Подробнее о заказе
NTP75N03-006	MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB	7166 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015