RW1A013ZPT2R | ROHM Semiconductor RW1A013ZPT2R | RW1A013ZPT2R Inventory, Best Pricing

RW1A013ZPT2R

Увеличить

Только для справки

номер части	RW1A013ZPT2R
LIXINC Part #	RW1A013ZPT2R
Производитель	ROHM Semiconductor
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET P-CH 12V 1.5A 6WEMT
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	RW1A013ZPT2R След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 27 - Jan 31 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

RW1A013ZPT2R Технические характеристики

номер части:	RW1A013ZPT2R
Бренд:	ROHM Semiconductor
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	ROHM Semiconductor
ряд:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Not For New Designs
тип фета:	P-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	12 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	1.5A (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	1.5V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs:	260mOhm @ 1.3A, 4.5V
vgs(th) (макс.) @ id:	1V @ 1mA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	2.4 nC @ 4.5 V
ВГС (макс.):	±10V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	290 pF @ 6 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	400mW (Ta)
Рабочая Температура:	150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	6-WEMT
упаковка / чехол:	SOT-563, SOT-666

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015