Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

BSZ033NE2LS5ATMA1

BSZ033NE2LS5ATMA1
Увеличить

Только для справки

номер части BSZ033NE2LS5ATMA1
LIXINC Part # BSZ033NE2LS5ATMA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 25V 18A/40A TSDSON
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD BSZ033NE2LS5ATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

BSZ033NE2LS5ATMA1 Технические характеристики

номер части:BSZ033NE2LS5ATMA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:OptiMOS™
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):25 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:18A (Ta), 40A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:3.3mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:2V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:18.3 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±16V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:1230 pF @ 12 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):2.1W (Ta), 30W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TSDSON-8-FL
упаковка / чехол:8-PowerTDFN

BSZ033NE2LS5ATMA1 Документы

if BSZ033NE2LS5ATMA1 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

FCH041N60F-F085 FCH041N60F-F085 MOSFET N-CH 600V 76A TO247-3 1554

Подробнее о заказе
IPN60R360PFD7SATMA1 IPN60R360PFD7SATMA1 MOSFET N-CH 650V 10A SOT223 3614

Подробнее о заказе
AO3419 AO3419 MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT23-3L 3839

Подробнее о заказе
MCH3481-TL-W MCH3481-TL-W MOSFET N-CH 20V 2A SC70FL/MCPH3 874

Подробнее о заказе
RQ5E025TNTL RQ5E025TNTL MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3 12606

Подробнее о заказе
FDMC8360L FDMC8360L MOSFET N-CH 40V 27A/80A POWER33 13270

Подробнее о заказе
FQB7N10TM FQB7N10TM MOSFET N-CH 100V 7.3A D2PAK 2429

Подробнее о заказе
TN2640LG-G TN2640LG-G MOSFET N-CH 400V 260MA 8SOIC 982

Подробнее о заказе
RM150N100HD RM150N100HD MOSFET N-CH 100V 150A TO263-2 918

Подробнее о заказе
IXFN27N80Q IXFN27N80Q MOSFET N-CH 800V 27A SOT-227B 899

Подробнее о заказе
CSD17573Q5B CSD17573Q5B MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON 15541

Подробнее о заказе
RFP6P10 RFP6P10 P-CHANNEL POWER MOSFET 43061

Подробнее о заказе
STB14N80K5 STB14N80K5 MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK 830

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10907 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$1.08000$1.08
5000$0.43536$2176.8

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top