TSM080N03EPQ56 RLG | TSC (Taiwan Semiconductor) TSM080N03EPQ56 RLG | TSM080N03EPQ56 RLG Inventory, Best Pricing

TSM080N03EPQ56 RLG

Увеличить

Только для справки

номер части	TSM080N03EPQ56 RLG
LIXINC Part #	TSM080N03EPQ56 RLG
Производитель	TSC (Taiwan Semiconductor)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 30V 55A 8PDFN
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	TSM080N03EPQ56 RLG След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

TSM080N03EPQ56 RLG Технические характеристики

номер части:	TSM080N03EPQ56 RLG
Бренд:	TSC (Taiwan Semiconductor)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	TSC (Taiwan Semiconductor)
ряд:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	30 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	55A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	8mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.5V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	7.5 nC @ 4.5 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	750 pF @ 25 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	54W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	8-PDFN (5x6)
упаковка / чехол:	8-PowerTDFN

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015