FDZ3N513ZT | Rochester Electronics FDZ3N513ZT | FDZ3N513ZT Inventory, Best Pricing

FDZ3N513ZT

Увеличить

Только для справки

номер части	FDZ3N513ZT
LIXINC Part #	FDZ3N513ZT
Производитель	Rochester Electronics
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET P-CH 30V 1.1A 4WLCSP
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	FDZ3N513ZT След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

FDZ3N513ZT Технические характеристики

номер части:	FDZ3N513ZT
Бренд:	Rochester Electronics
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Rochester Electronics
ряд:	-
упаковка:	Bulk
статус детали:	Active
тип фета:	P-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	30 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	1.1A
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	-
rds on (max) @ id, vgs:	462mOhm @ 300mA, 4.5V
vgs(th) (макс.) @ id:	1.5V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	1 nC @ 4.5 V
ВГС (макс.):	+5.5V, -300mV
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	85 pF @ 15 V
Фет-функция:	Schottky Diode (Isolated)
рассеиваемая мощность (макс.):	1W (Ta)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 125°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	4-WLCSP (1x1)
упаковка / чехол:	4-XFBGA, WLCSP

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$0.32000	$0.32
3000	$0.32000	$960

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015