Только для справки
| номер части | TK31V60X,LQ |
| LIXINC Part # | TK31V60X,LQ |
| Производитель | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | TK31V60X,LQ След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | TK31V60X,LQ |
| Бренд: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| ряд: | DTMOSIV-H |
| упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 600 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 30.8A (Ta) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 98mOhm @ 9.4A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 3.5V @ 1.5mA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 65 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±30V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 3000 pF @ 300 V |
| Фет-функция: | Super Junction |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 240W (Tc) |
| Рабочая Температура: | 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | 4-DFN-EP (8x8) |
| упаковка / чехол: | 4-VSFN Exposed Pad |
| HP4936DY | N-CHANNEL POWER MOSFET | 2764 Подробнее о заказе |
|
| NTBG080N120SC1 | TRANS SJT N-CH 1200V 30A D2PAK-7 | 910 Подробнее о заказе |
|
| IRFR5505TRLPBF | MOSFET P-CH 55V 18A DPAK | 887 Подробнее о заказе |
|
| AUIRFS8403TRL | MOSFET N-CH 40V 123A D2PAK | 1774 Подробнее о заказе |
|
| APT41M80B2 | MOSFET N-CH 800V 43A T-MAX | 842 Подробнее о заказе |
|
| NVMFS4C01NT1G | MOSFET N-CH 30V 49A/319A 5DFN | 848 Подробнее о заказе |
|
| NTD32N06L-1G | MOSFET N-CH 60V 32A IPAK | 3676 Подробнее о заказе |
|
| IRFR9014TRPBF-BE3 | MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK | 2455 Подробнее о заказе |
|
| APT18M100B | MOSFET N-CH 1000V 18A TO247 | 982 Подробнее о заказе |
|
| IRFP344 | MOSFET N-CH 450V 9.5A TO247-3 | 947 Подробнее о заказе |
|
| IPD30N03S2L20ATMA1 | MOSFET N-CH 30V 30A TO252-31 | 1456 Подробнее о заказе |
|
| MTD2N40E | N-CHANNEL POWER MOSFET | 4164 Подробнее о заказе |
|
| IRFPG50PBF | MOSFET N-CH 1000V 6.1A TO247-3 | 1228 Подробнее о заказе |
| В наличии | 10847 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $5.08000 | $5.08 |
| 2500 | $2.53356 | $6333.9 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.