IAUT300N08S5N012ATMA2

IAUT300N08S5N012ATMA2
Увеличить

Только для справки

номер части IAUT300N08S5N012ATMA2
LIXINC Part # IAUT300N08S5N012ATMA2
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IAUT300N08S5N012ATMA2 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IAUT300N08S5N012ATMA2 Технические характеристики

номер части:IAUT300N08S5N012ATMA2
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:OptiMOS™
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):80 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:300A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):6V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:1.2mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:3.8V @ 275µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:231 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:16250 pF @ 40 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):375W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-HSOF-8-1
упаковка / чехол:8-PowerSFN

Продукты, которые могут вас заинтересовать

BSC009NE2LS5ATMA1 BSC009NE2LS5ATMA1 MOSFET N-CH 25V 41A/100A TDSON 10480

Подробнее о заказе

NTD18N06-1G NTD18N06-1G MOSFET N-CH 60V 18A IPAK 3754

Подробнее о заказе

APT34F60B APT34F60B MOSFET N-CH 600V 36A TO247 962

Подробнее о заказе

NVB60N06T4G NVB60N06T4G MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK 1817

Подробнее о заказе

SI4164DY-T1-GE3 SI4164DY-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 30A 8SO 10829

Подробнее о заказе

IXTT10N100D2 IXTT10N100D2 MOSFET N-CH 1000V 10A TO268 4035

Подробнее о заказе

IRFZ34NSTRLPBF IRFZ34NSTRLPBF MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK 1014

Подробнее о заказе

NVD6824NLT4G-VF01 NVD6824NLT4G-VF01 MOSFET N-CH 100V 8.5A/41A DPAK 812

Подробнее о заказе

NTMFS4927NT3G NTMFS4927NT3G MOSFET N-CH 30V 7.9A/38A 5DFN 472850862

Подробнее о заказе

IRFB4410ZPBF IRFB4410ZPBF MOSFET N-CH 100V 97A TO220AB 976

Подробнее о заказе

IXFH13N90 IXFH13N90 MOSFET N-CH 900V 13A TO247AD 939

Подробнее о заказе

PXP6R7-30QLJ PXP6R7-30QLJ PXP6R7-30QL/SOT8002/MLPAK33 982

Подробнее о заказе

APT84M50B2 APT84M50B2 MOSFET N-CH 500V 84A T-MAX 871

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10891 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$7.27000$7.27
2000$3.86945$7738.9

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top